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特性 4K位的非易失性铁电随机存储器 完善的写保护 l 结构容量为512*8位 l 硬件写保护 l 100亿次的读写次数 l 软件写保护 l 在85℃下掉电数据保持10年 低功耗操作 l 写数据无延时 l 静态工作电流：10uA l 先进的高可靠的铁电制造工艺 工业标准 快速串行外设接口协议-SPI l 工业温度 -40℃ to +85℃ l 最大达到2.1M 的总线速度 l 8脚SOP或DIP封装 l 硬件上直接替代EEPROM l 支持SPI 的模式0 (CPOL, CPHA=0,0) 描述 l 引脚定义 FM25040 是采用先进的铁电技术制造的 4K 位的非易失性存储器。铁电随机存储器 （FRAM ）具有非易失性，并且可以象RAM一 样快速读写，数据在掉电后可以保存10年，相 对于EEPROM或其他非易失性存储器，FRAM 具有系统可靠性更高，结构更简单等诸多优点。 与EEPROM不同，FM25040 以总线速度进 行写操作，无须延时。当数据被移入芯片后， 写操作仅需几百个纳秒，下一个总线周期可以 立刻开始而无须进行数据轮循。另外，FM25040 具有比其它非易失性存储器高得多的读写操作 次数，可以承受超过100亿次的读写操作，这远 远超过了一般系统对串行存储器的读写次数要 求。 以上的这些特性使得FM25040对于某些非 易失性应用场合非常理想，在这些场合，系统 操作频率及读写速度要求非常高。举例来说， 数据采集应用中，系统对写周期的要求很高， EEPROM较长的写入周期可能会导致数据丢 失。FM25040使用高速SPI接口，这种接口增强 了铁电技术的高速写数据能力。 第 1 页 第 2 页 管脚描述 管脚名称 管位 类型 描述 /CS 1 IN 片选：使能芯片。当为高电平时，所有的输出处于高阻态，同时芯片忽略其 它的输入。芯片保持在低功耗状态。当片选为低电平时，芯片根据SCK 的 信号而动作，在任何操作之前，/CS 必须有一个下降沿。 SO 2 OUT 串行输出：SO 是数据输入管脚。它在读操作中有效，在其它的情况下，它 保持高阻状态，包括在/HOLD 管脚为低电平的时候。数据在时钟的下降沿 移出到SO 管脚上。 ＊SO 可以与SI 连接在一起，因为芯片是以半双工的方式进行通讯。 /WP 3 IN 写保护。这个管脚的作用是阻止向状态寄存器进行写操作，这是非常重要的， 因为其它的写保护特性是通过状态寄存器来控制的，关于写保护的详细描述 将在下面详细介绍。*FM25040 的/WP 功能是阻止所有的写操作。 VSS 4 IN 电源地 SI 5 IN 串行输入。所有的数据通过这个管脚输入进芯片。此管脚的信号在时钟的上 升沿被采样，在其它时间被忽略。 SCK 6 IN 串行时钟。所有的输入输出都与时钟信号同步，输入在时钟的上升沿被锁存， 输出出现在时钟的下降沿。芯片采用静态设计，时钟频率可以为 0-5MHZ 之间的任意值，并且可以被随时中止。 /HOLD 7 IN 保持。当主MC