衬底结构特征对硅电感影响.doc

[键入文字] 摘要 : 使用三维电磁场模拟的方法对不同硅衬底结构螺旋电感进行了模拟和分析. 通过改变衬底的电导率 、隔离 层的厚度以及隔离层的材料 、衬底引入硅锗合金层等模拟 , 分析了电感性能的变化. 结果表明随着电导率的减小 , 电感的性能会增强 ,但改善的幅度会逐渐减小. 厚的 SiO 2 隔离层有利于减小衬底损耗 , 但是会给工艺增加难度. 采 用低 k 材料作为隔离层是改善电感性能的一种比较理想的方法. 关键词 : 硅基 ; 螺旋电感 ; 品质因子 ; 衬底结构 EEACC : 2140 ; 1350 ; 2560 中图分类号 : TN405 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 025324177 ( 2006) 1121955206 1　引言 近年来 , 随着无线通信市场的飞速发展 , 低造 价、高性能的片上射频器件的需求也在不断地增加. 为了满足低损耗 、高集成度的要求 ,片上集成螺旋电 感已成为压控振荡器 、低噪声放大器 、混频器以及中 频滤波器等许多通信模块中的重要元件. 由于硅基 集成电路制造成本相对较低 , 使得硅基射频集成电 路对 Ga As 基集成电路具有相当大的竞争力. 但是 硅衬底在高频下的高损耗限制了硅基射频电感性 能 ,为了改善其性能 ,许多工作者通过改善衬底的结 构特性来提高电感的性能. 例如提高衬底导体电阻 率或者采用 SO I ( silico n2o n2i nsulat or ) 材料作为衬 底 [ 1 ] ,增大金属与衬底之间的氧化层厚度 [ 2 ] , 以及去 除电感底部衬底 [ 3 ] . 但是系统研究衬底结构对电感 性能改善的报道还很缺乏. 实际制作测量和三维电 磁场模拟是两种常用的表征电感特性的方法 , 在精 度上两者有很好的吻合. 与传统的表征方法相比 ,通 过三维电磁场模拟分析的方法显得更为经济和便 利. 不用制作测试基片 ,并且改变结构参数也是非常 容易实现的方法. 本文在分析硅衬底上射频螺旋电 感物理模型的基础上 , 采用 a ns of t H FSS 三维电磁 场模拟器对影响电感值和 Q 值及谐振频率的各参 数进行了全面详尽的模拟 ,系统分析了衬底电阻率 、 隔离层的厚度以及隔离层的材料 、衬底引入硅锗合 金层对电感性能的影响. 得出了一些实用的设计原 则 ,可有效地指导射频集成电路中集成电感的设计. 3 衬底结构特征对硅基螺旋电感性能的影响 3 2　硅基螺旋电感的物理模型 图 1 是螺旋电感的结构和物理模型 , 其中 M1 为上层金属线圈 ; M2 为底层互联金属 ; I D 为电感 图 1 　( a ) 简化的螺旋电感剖面图 ; ( b ) 简化的螺旋电感俯视图 Fig1 1 　( a ) Si mp lif ied cross2sectional view of t he sp iral i nduct or ; ( b ) Si mp lif ied t op view of t he spi ral i nduct or  的内径 ; D 为电感的外径 ; W 为金属条的宽度 ; S 为 相邻金属条之间的间隔. 图 2 为电感的等效电路模型[ 4 ] . 电感是储存磁 场能量的元件 , 电阻 、电容则为电感的主要寄生元 件. 其中 L S 和 RS 是电感自身的串联电感和电阻 ; CS 是两层导体间寄生电容 ; Cox 是电感与硅衬底间 寄生电容 ; CSi 和 RSi 是电感下方衬底的寄生电容和 电阻 ,由此模拟衬底损耗情况. 上述各参数可用下列 公式计算 : ρl ( 1)Rs =- r/δδ()W 1- e εox2( 2)Cs = n W t oxmetal C ox = Csi Rsi = εox1 lW 2t ox 1 =l WCsub 2 2 l W Gsub ( 3) ( 4) ( 5) 其中 　W 和 n 为金属条宽度和交叠区域的数量 ; l 为电感金属条总长度 ; t 为金属条厚度 ;δ为高频时 金属的趋肤深度 ;ρ为金属条电阻率 ; toxmetal 为 M1 和 M2 之间氧化层厚度 ; CSub 和 GSub 为衬底单位面积电 容和单位面积电导. 图 3 　( a) 不同电导率下品质因子随频率的变化关系 ; ( b ) 不同 电导率下电感随频率的变化关系 Fig1 3 　( a ) Simulation result s of t he spiral inducto r Q factor wit h regard to