中科大智能传感器系统第4章.pptVIP

3、 硅的直接激光加工 作用：对VLSI电路制造的各阶段中出现的差错进行局部修改 原理：利用强聚焦的激光束，促使表面进行化学反应（热激活反应、 光化学反应） 4、 LIGA技术：光刻电铸成型 设备：使用由功率强大的同步辐射加速器所产生的软x射线源。 原理：使软x射线通过掩膜版，在导电的衬底上，将图形深深地刻在 聚合物上，利用高能照射改变聚合物的腐蚀速率这一特性，将经照射后的 聚合物，经过湿法腐蚀后在聚合物上留下了部件的主体模型。再用电镀工 艺将金属淀积进入模型；将聚合物除去，就可得到最终部件。 §4.3.4 自致停技术 书中介绍的 自致停腐蚀和P－N结自致停腐蚀以及埋层（SOI晶 片）方法，属于通过控制掺杂浓度或控制硅的电位而达到自致停腐蚀的目 的，下面介绍几种其它方法。 1、 注入损伤自致停腐蚀 进行阳极腐蚀时，空穴参与腐蚀过程。通过低剂量离子注入在硅表面 形成一层损伤层，其中空穴的寿命非常短，则腐蚀液遇到损伤层速率明显 降低。腐蚀完成后，需将硅片退火，使损伤层得到恢复。 2、 异质结构自致停腐蚀 利用分子束外延（MBE）或金属有机化学气相淀积技术获得 的异质结构，然后对这些结构进行选择性腐蚀，如EDP、KOH腐蚀Si而不腐 蚀 。 §4.3.5 牺牲层技术 利用 作为牺牲层，采用选择性腐蚀技术，将两层薄膜中的下 层薄膜腐蚀掉。 §4.3.6 键合技术 1、 静电键合 1）键合原理： 外加电压时，玻璃中的 向负极方向漂移，在紧邻硅片的玻璃表 面形成耗尽层。由于耗尽层带负电荷，硅片带正电荷，所以硅片和玻璃之 间存在较大的静电吸引力，使二者紧密接触。 当： 时，F≈24大气压力。 温度的作用，使硅/玻璃界面发生化学反应，形成 化学键。 2）影响静电键合的因素 a）温度：180～500℃ 低：导电性差；高：软化。 b）电压：200～1000V 低：引力不够；高：击穿玻璃。 c）键合引入的应力：选择热膨胀系数相同的材料；选择合适的温度 点，T＝300℃。 d）阳极形状的影响 采用双平行板电极会产生部分孔缝。 3）应用 a）制作微传感器中传感器的封装； b）SOI材料的制备； c）场发射阵列的制备。 2、 热键合技术（SDB） 两硅片通过高温处理直接键合在一起，不需要粘合剂和外加电场。 1）工艺步骤 a）表面处理； b）预键合，在室温下将两硅片面对面贴合在一起； c）键合 。 在 或 环境中经数小时的高温处理，书中给出了键合原理示意图。 2）应用 适用于 ， ， 等。 a）电力电子器件，如双极模式MOSFET； b）SOI材料的制备； c）传感器与微结构； d）真空微电子器件。 自封闭真空微二极管： (见右图） 前面我们主要介绍了一些微机械加工技术，如：各向异性腐蚀、干法 腐蚀、自致停技术以及键合技术等，在这里，我们结合微机械加工的基本 技术，介绍典型的微机械结构及其加工过程。 书中共介绍了诸如：“喷墨嘴、气相色谱仪、微型冷却器、微型光学 调制器、微型涡轮机以及半导体压力传感器、硅加速度传感器等。”实际 上这些器件的总的加工工艺都是大同小异，主要加工技术仍为：薄膜生成 技术、刻蚀技术、键合技术。这里仅介绍硅微压阻式加速度传感器和同步 马达，其它的同学们可以自己看一看。 §4.4 典型微机械结构的制造 1、 微传感器 以表面加工为基础的微传感器的设计与研究主要取决于工艺水平与新 结构开发之间的相互关系，下面是基于微机械加工技术的微传感器设计， 制备和测试流程图。 一般来说，我们要研究一种微传感器，首先要明确它的功能及要求， 然后进行结构设计，在进行结构设计时，必须要考虑它的加工方法和步 骤，即工艺流程，而且这两者之间的相互关系要反复多次才能协调起来。 2、 硅微压阻式加速度传感器 1）加速度芯片的制作： 从设计传感器的角度，首先根据 功能要求确定加速度芯片的结构。如： 质量块的质量大小，对应的外形尺寸； 梁的尺寸，应变电阻的位置，