低维半导体材料的研究现状b5cdceacb0ebb5bccce5b2c4c1cfb5c4d1d0bebfcfd6d7b4.pptVIP

低维半导体材料的研究现状 电子科学与技术系 张道礼 电子器件是20世纪的重大发明之一 电子器件的发展已经经历了两个时期 信息时代的到来，要求微电子器件的特征尺寸越来越小，芯片集成度越来越高 Moore定律 当系统的尺寸小到可以与电子的德布罗意波长相当时，量子效应就成为支配载流子行为的主要因素，量子力学将成为其理论基础。 现今微电子器件工作原理和理论基础是以Boltzman输运方程为基础的理论。 因此微电子器件不会一直小下去，它存在一个物理极限，这个极限即是以Boltzman输运方程为基础的理论的适用极限。 这个物理极限是多少？ 0.030μm ? 从信息技术的发展来看，为了满足无所不在的海量智能化需要，硅微电子芯片技术即使达到0.030μm ，也还是不能够满足信息处理的需要。 当传统晶体管和集成电路最终达到它的极限的时候，信息技术将如何发展？ 当电子器件进一步减小时，纳电子器件之后，将是分子电子器件，与之相应地将出现分子电子学。 当前，人们直接面临的问题是纳米电子器件的设计与制造，纳电子学已经成为电子学研究的热点。 必须指出，纳电子学是为首的，这是因为纳电子学处于重要地位，将带领其他各学科的发展。 这个划分没有将纳米材料作为一个独立的学科，是因为各个学科都与材料有关。 纳米材料的基本单元可按维数分为三类： 零维纳米材料：类似于点状结构，立体空间的三个方向均在纳米尺度，如纳米微粒，原子团簇等。 一维纳米材料：类似于现状结构，立体空间的三个方向有两个方向在纳米尺度，如纳米线、纳米棒、纳米管等。 二维纳米材料：类似于面状结构，立体空间的三个方向有一个方向在纳米尺度，如纳米薄膜、纳米多层膜、超晶格薄膜等。 对于半导体低维材料（基于载流子）： 二维超晶格、量子阱材料：载流子在二个方向（如在x ,y 平面内） 上可以自由运动,而在另外一个方向（z）则受到约束。 一维量子线材料：载流子仅在一个方向可以自由运动,而在另外两个方向则受到约束。 零维量子点材料：载流子在三个方向上运动都要受到约束的材料系统，即电子在三个维度上的能量都是量子化的。 主要半导体量子点、量子线、量子阱材料 对于低维半导体材料主要应用的是Bottom-up方法。其制备技术主要有： MBE和MOCVD生长技术 MBE技术 MBE技术实际上是超高真空条件下,对分子或原子束源和衬底温度加以精密控制的薄膜蒸发技术。 MBE 与其它传统生长技术(LPE , VPE 等) 相比有许多优点。 MOCVD技术 MOCVD 或MOVPE 是和MBE 同时发展 起来的另一种先进的外延生长技术。 MOCVD 是用氢气将金属有机化合物蒸气和气态非金属氢化物经过开关网络送入反应室加热的衬底上，通过热分解反应而最终在其上生长出外延层的技术。 类似的技术还有化学束外延(CBE)，金属有机化合物分子束外延(MOMBE) 和气态源分子束外延(GSMBE) 。 超晶格、量子阱材料生长和精细加工相结合的制备技术 利用MBE 或MOCVE 等技术首先生长超晶格、量子阱器件结构材料如：AlGaAs/ GaAs 2DEG材料等，进而结合高空间分辨电子束曝光直写，湿法或干法刻蚀和微细离子束注入隔离制备量子线和量子点。 下表给出了目前微细加工国内外所达到的水平。 上述方法的优点是 图形的几何形状和密度(在分辨率范围内) 可控 其缺点是 图形实际分辨率(受电子束背散射效应影响) 不高(几十nm) ,横向尺寸远比纵向尺寸大 边墙(辐射,刻蚀) 损伤,缺陷引入和杂质沾污使器件性能变差以及曝光时间过长等 应变自组装量子点结构生长技术 外延生长过程中，根据晶格失配和表面、界面能不同，存在着三种生长模式： 晶格匹配体系的二维层状(平面) 生长的Frank - Van der Merwe 模式 大晶格失配和大界面能材料体系的三维岛状生长模式，即Volmer - Weber 模式 大晶格失配和较小界面能材料体系的先层状进而过渡到岛状生长的Stranski - Krastanow(SK) 模式 应变自组装量子点结构材料的制备是利用SK生长模式，他主要用于描述具有较大晶格失配，而界面能较小的异质结构材料生长行为。 这种方法的优点是可将QDs 的横向尺寸缩小到几十纳米以内，可做到无损伤 缺点是量子线和量子点的几何形状 尺寸均匀性和密度难以控制 低维半导体结构材料的其它制备技术 在图形化衬底和不同取向晶面上的选择外延生长技术如: 不同晶面生长速度不同的V 型槽生长技术 解理面再生长技术; 高指数面生长技术; 小角度倾斜晶面生长短周期超晶格材料技术 在其他图形化衬底上的生长