半导体材料第7章-iii-v族化合物半导体的外延生长.ppt

* * LPE的缺点 1) 当外延层与衬底晶格常数差大于1％时，不能进行很好的生长。 2) 由于分凝系数的不同，除生长很薄外延层外，在生长方向上控制掺杂和多元化合物组分均匀性遇到困难。 3) LPE的外延层表面一般不如气相外延好。 近年来，由于MOVPE等外延技术的发展，LPE的应用受到了影响，特别是LPE很难重复生长超薄(厚度10nm)的外延层，使它在超晶格，量子阱等低维结构材料和器件制备方面遇到困难。 液相外延的方法 液相外延的方法有许多种，按衬底与溶液接触方式不同分为：舟倾斜法、浸渍法、旋转反应管法及滑动舟法等，其中滑动舟法最用。 滑动舟法可分为降温法(瞬态生长)和温差法(稳态生长) 。降温法 1) 先将Ga池与GaAs固体源接触，使之达到饱和 2) 将Ga池与衬底接触，以一定的速度降温至溶液过饱和 3) GaAs将在衬底上析出，达到所要求厚度 4) 将Ga池与衬底分开， 停止生长。 此法适于生长薄的单晶层。 降温法(瞬态生长)工艺 瞬态生长工艺应用比较广泛，按衬底片与源接触情况不同又分成平衡冷却、过冷、步冷和两相溶液冷却四种工艺。 平衡冷却 是在平衡温度T1时，溶液与衬底接触以恒定的冷却速率降温外延生长； 步冷 溶液降温至TT1，溶液过饱和但不自发成核，再与衬底接触，不再降温，在此过冷温度下进行生长 过冷 溶液降温至TT1，溶液过饱和但不自发成核，再与衬底接触，再以相同的速率降温生长； 两相溶液法 先将溶液过冷并自发成核，长在溶液上方平衡片上，然后将此溶液与衬底接触并继续降温生长。 温差法 1) 溶液与上方的GaAs源片接触，至达到平衡 2)降低炉子下部温度，在Ga池内建立一定的温度梯度(5～7℃／cm) 3) 推动舟，使Ga液与下面的衬底接触。 4) 由于Ga液上下温度不同，故它们对GaAs溶解度不同，于是高温处GaAs源片溶解，而低温处GaAs衬底上将生长GaAs，外延生长速率由Ga液中温度梯度决定 外延结束时，将Ga池推离衬底 此法可避免在生长过程中由于降温造成的杂质分布的不均匀，使杂质纵向均匀性和晶体完整性得到改善，并且GaAs析出量不受降温范围限制，适于生长厚外延层。 液相外延生长膜的过程 液相外延生长膜的过程可分为两步： ① 物质输运，液相中溶质通过扩散，对流输运到生长界面。 ② 界面反应，包括溶质在衬底表面上的吸附、反应、成核、迁移、在台阶处被俘获、副产物的脱附等步骤。 反应速度主要受扩散限制。 GaAs液相外延的掺杂 系统自掺杂： 影响外延层中杂质的因素很多，如源、器具的纯度，系统的密封性，接触温度，采用的工艺条件等。 减少自掺杂的措施： 液相外延的器具要用高纯石墨制造并在外延前经高真空高温处理，可除去Cr，Mn，Fe，Ni，Cu，zn，Se等杂质。 高温烘烤还有利于除去能产生深能级的氧。 另外系统要严密，外延系统磨口接头用纯N2保护，这些都有助于减少氧沾污。残留杂质对生长层的纯度也有影响。 GaAs液相外延的掺杂 掺杂剂，N型的有碲Te，锡Sn，硒Se；P型用Zn，Ge． N型： Sn在GaAs中溶解度大，蒸气压低，分凝系数很小(K≈10-4)，可生长掺杂浓度很宽的均匀的N型GaAs外延层。掺杂浓度可达8×1018／cm3，且不受生长温度和衬底晶向的影响，是最常用的N型掺杂剂。 Te、 Se的蒸气压高，分凝系数大(K≈1，5)，很难进行均匀掺杂。一般不使用Te和Se掺杂。 P型： Ge的蒸气压、分凝系数和扩散系数都比Zn低，因而是最常用的掺杂剂。 Zn在GaAs中溶解度和分凝系数大，为了获取陡峭的杂质分布和形成良好的电极接触材料，也常用来做掺杂剂。 GaAs液相外延的掺杂 半绝缘GaAs ：掺Cr可得到电阻率高达107Ω·cm的半绝缘GaAs。 两性杂质 Si在GaAs中是两性杂质，它替代Ga时起施主作用，替代As时起受主作用，施主与受主的浓度差与生长温度有关。 当生长温度高于转型温度Tc时析出N型GaAs， 低于转型温度Tc时析出P型GaAs。 (转型温度因衬底晶向，冷却速度，掺Si浓度不同而略有差异)。 一般情况下，LPE生长的掺杂GaAs外延层中载流子浓度与生长温度、生长速率和衬底晶向有关。 7-4分子束外延生长(MBE) 分子束外延(molecular beam epitaxy，MBE)是在超高真空条件下，用分子束或原子束输运源进行外延生长的方法。在超高真空中，分子束中的分子之间以及分子束的分子与背景分子之间几乎不发生碰撞。 分子束外延与其他外延方法相比具有如下的优点：