气相传输平衡技术制备LiGaO2薄膜3.PDF

第 26 卷 　第 9 期 光 　学 　学 　报 Vol . 26 ,No . 9 　　　　　　　　　　　　 　　　　　　　 　　　　 2006 年 9 月 A C TA O P TICA SIN ICA Sep t ember , 2006 文章编号 :(2006) 0914245 气相传输平衡技术制备 L i Ga O2 薄膜 1 ,2 1 1 1 ,2 1 1 张俊刚 　夏长泰 　吴 　锋 　裴广庆 　李抒智 　徐 　军 1 3 3 3 周圣明 　邓 　群 　徐悟生 　史宏声 1 中国科学院上海光学精密机械研究所 , 上海 20 1800 2 中国科学院研究生院 , 北京 100039 3 通用电气中国研究开发中心有限公司 , 上海 20 1203 ( ) ( ) β 摘要 : 　为获得与 GaN 薄膜晶格失配小的衬底材料 ,报道了利用气相传输平衡技术 V T E 在 100 Ga O 单晶衬 2 3 底上制备高度[00 1]取向Li GaO2 薄膜的方法 。经过 X 射线衍射分析表明得到的薄膜是由单相 Li GaO2 组成 。利 ( ) 用扫描电镜 SEM 观察表面形貌 ,发现经气相传输平衡技术处理得到的薄膜表面形貌主要受温度的影响 ,表面晶 粒尺寸随温度上升而增大 。而 X 射线衍射测试表明随着温度上升 ,所得到的薄膜也从多晶向单晶化转变 。在经过 退火处理后 , 通过观察吸收谱发现 Li GaO2 薄膜中产生色心 ,并且色心的种类与温度有关 。表明可以通过气相传 ( ) ( ) β 输平衡技术技术 ,在远低于 Li