沈阳建筑大学信息与工程学院模拟电子第一章.pptVIP

本章作业： 1-3、1-4、1-6、1-9、1-13、1-16 P+ P+ ID IS VGG VDD 当UGS ≤ UGS(off)时， ID ≈ 0， 导电沟道夹断。 下页 上页 首页 截止区： UGS ≤ UGS(off) ，导电沟道被夹断，不能导电。 （1）输出特性 ID=f（UDS）|UGS=常数 预夹断轨迹 可变 电阻区 恒流区 击穿区 |UGS(off)| IDSS UGS=0 -4 -2 -6 -8 ID/mA UDS/V O |UGS-UDS|= |UGS(off)| 可变电阻区： ID 与UDS 基本上线性关系， 但不同的UGS 其斜率不同。 恒流区：又称饱和区， ID 几乎不随UDS 变化， ID 的值受UGS 控制。 N沟道结型场效应管的输出特性 击穿区：反向偏置的PN结被击穿， ID 电流突然增大。 截止区 3. 特性曲线 （2）转移特性 ID = f（UGS）|UDS=常数 Ｎ沟道结型场效应管转移特性　 IDSS UGS(off) 饱和漏极电流 栅源间加反向电压 UGS 0 栅极基本不取电流，输入电阻很高。 UGS/V ID/mA O 下页 上页 首页 二、绝缘栅场效应管 1. N沟道增强型MOS场效应管 ⑴. 结构 P型衬底 N+ N+ B S G D SiO2 铝 P衬底杂质浓度较低， 引出电极用B表示。 N+两个区杂质浓度很高， 分别引出源极和漏极。 栅极与其它电极是绝缘的，通常衬底与源极在管子内部连接在一起。 S G D B 下页 上页 首页 在源极和漏极的二氧化硅上面引出栅极。 P型衬底 N+ S G D B N+ ⑵. 工作原理 当UGS 增大到一定值时， 形成一个N型导电沟道。 N型沟道 UGS UGS(th)时 形成导电沟道 VGG 导电沟道的形成 假设UDS = 0 ，同时UGS 0 靠近二氧化硅的一侧产生耗尽层， 若增大UGS ，则耗尽层变宽。 又称之为反型层。 导电沟道随UGS 增大而增宽。 下页 上页 首页 开启电压：用UGS(th)表示。 UDS对导电沟道、ID的影响 UGS为某一个大于UGS(th)的固定值，在漏极和源极之间加正电压，且UDS UGS - UGS(th) 即UGD = UGS - UDS UGS(th) 则有电流ID 产生， ID 当UDS 增大到UDS =UGS - UGS(th) 即UGD = UGS - UDS = UGS(th) 时， 沟道被预夹断。 P型衬底 N+ N+ S G D B VGG N型沟道 VDD UDS对导电沟道的影响 使导电沟道出现不等宽。 当UDS 增大时，ID随之增大，导电沟道不等宽情况加剧。 继续增大UDS ，沟道夹断区延长， ID 基本不变，到达饱和 。 ⑶. 特性曲线 IDO UGS(th) 2UGS(th) 预夹断轨迹 可变 电阻区 恒流区 ID/mA UDS/V O UGS/V ID/mA O 当UGS ≥ UGS(th)时。 截止区 转移特性曲线可近似用以下公式表示： 2. N沟道耗尽型MOS场效应管 预先在二氧化硅中掺入大量的正离子， 使UGS = 0 时，也能产生N型导电沟道。 当uDS0时，有一个较大的漏极电流ID。 当UGS 0 时，沟道变窄，ID减小。 UGS更负，当达到某一负值时被夹断， ID ≈ 0，称此时的UGS为夹断电压，用UGS(off)表示。 当UGS 0 时，沟道变宽，ID 增大。 G D S B 下页 上页 首页 P型衬底 N+ N+ S G D B N型沟道 + + + + + + 耗尽型： UGS = 0 时有导电沟道。 增强型： UGS = 0 时无导电沟道。 特性曲线 IDSS UGS(off) 预夹断轨迹 可变 电阻区 恒流区 IDSS ID/mA UDS/V O UGS=0 -2 -1 +1 +2 UGS/V O ID/mA 截止区 3. 场效应管工作原理总结 （1）P沟道MOS场效应管的工作原理与N沟道的类似；符号也与N沟道的类似，但B上箭头的方向相反。 （2）说明：结型场效应管（JFET）与绝缘栅场效应管（ MOSFET ）的工作原理是不同的。 JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变导电沟道的宽窄，从而控制漏极电流的大小。 而MOSFET则是利用栅源电压来控制半导体表面感应电荷的多少，以改变由这些感应电荷形成的导电沟道的状况，从而控制漏极电流的大小。 （3）各种场效应管的符号与特性曲线见教材P28页表1-1。要求能够根据符号和特性曲线的特点判断出场效应管的类型。 例1.4.1 已知某FET的输出特性如图所示，试判别它的类型（ P沟道或N沟道，增强型或耗尽型，结型(JFET)或绝缘栅型(MOSFET) ）。 答案：（1）