2杂质半导体n型半导体.pptVIP

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  • 2017-08-20 发布于天津
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2杂质半导体n型半导体

1、光生伏打效应 光生电场除了部分抵消势垒电场的作用外,还使P区带正电,N区带负电,在N区和P区之间的薄层就产生电动势,这就是光生伏打效应。当电池接上一负载后,光电流就从P区经负载流至N区,负载中即得到功率输出。 如果将P-N结两端开路,可以测得这个电动势,称之为开路电压Uoc。对晶体硅电池来说,开路电压的典型值为0.5~0.6V。 如果将外电路短路,则外电路中就有与入射光能量成正比的光电流流过,这个电流称为短路电流Isc。 1、光生伏打效应 影响光电流的因素: 通过光照在界面层产生的电子-空穴对愈多,电流愈大。 界面层吸收的光能愈多,界面层即电池面积愈大,在太阳电池中形成的电流也愈大。 太阳能电池的N区、耗尽区和P区均能产生光生载流子; 各区中的光生载流子必须在复合之前越过耗尽区,才能对光电流有贡献,所以求解实际的光生电流必须考虑到各区中的产生和复合、扩散和漂移等各种因素。 太阳能电池工作原理及效率 太阳能电池基本原理 基本原理 太阳能电池发电的原理主要是半导体的光电效应,即一些半导体材料受到光照时,载流子数量会剧增,导电能力随之增强,这就是半导体的光敏特性。 基本原理 当太阳光照射到半导体上时,其中一部分被表面反射掉,其余部分被半导体吸收或透过。被吸收的光,当然有一些变成热,另一些光子则同组成半导体的原子价电子碰撞,于是产生电

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