(第三章)半导体物理2010.pptVIP

⒉在NAND的P型半导体中 全部施主都是电离的,电中性条件简化为 ⒊在Na=Nd的半导体中 全部施主上的电子刚好使所有的受主电离,能带中的载流子只能由本征激发产生，这种半导体被称为完全补偿的半导体。 这种情况同只含一种受主杂质，杂质浓度为NA-ND的情况一样。 3.5.2 N型半导体(NDNA) ⒈杂质弱电离情况下： NDNA，则受主完全电离，pA=0 由于本征激发可以忽略，则电中性条件为 则 或改写为 在非简并情况下,有 式中Ec-Ed是施主电离能。此式就是半导体处于杂质电离区的电子浓度方程. 讨论: ⑴极低温区电离情况，假定NDNA 在极低的温度下，电离施主提供的电子，除了填满NA个受主以外，激发到导带的电子只是极少数，即n0NA，于是有 将其代入电子浓度公式中，得出费米能级EF为 在这种情况下，当温度趋向于0K时，EF与ED重合。在极低的温度范围内，随着温度的升高，费米能级线性地上升. 这种情况与只含一种施主杂质ND-NA时一致，这种条件下，施主主要是向导带提供电子，少量受主的作用可以忽略，此时费米能级也在施主能级ED之上变化。 ⑵当温度继续上升,进入NAnND的温度范围内 上式简化为 此时的费米能级的为: ⒉杂质饱和电离情况: 当温度升高使施主全部电离，所提供的Nd个电子，除了填满Na个受主外,其余全部激发到导带，半导体进入饱和电离区（强电离区），本征激发可忽略。电中性条件: 费米能级在ED之下 由n0p0=ni2得出空穴浓度 在杂质饱和电离区，有补偿的N型半导体的载流子浓度和费米能级公式，同只含一种施主杂质的N型半导体对应的公式具有相同的形式,但用有效施主浓度ND-NA代替了ND． 3.5.2 N型半导体(NDNA) ⒊过渡区（杂质饱和电离——本征激发） 当温度继续升高，是本征激发也成为载流子的重要来源时，半导体进入了过渡区，电中性条件为： 将上式与 联立，得到电子和空穴浓度为： 该形式与一种杂质半导体的过渡区载流子浓度公式相似，只不过把ND换为有效杂质浓度ND-NA而已。 3.5.2 N型半导体(NDNA) 此时的费米能级为： EF在施主能级ED之下，随着温度升高不断向Ei靠近。 ⒋高温本征激发区（本征区）： 当温度很高时，本征激发成为产生载流子的主要来源，半导体进入本征区，此时费米能级EF=Ei。载流子浓度为： 3.5.2 N型半导体(NDNA) 对于同时含有受主杂质和施主杂质的P型半导体，分析方法与上面完全相同．下面列出其不同温度区域内的计算公式： 　　空穴浓度方程 　⒈低温杂质弱电离区 极低温： 3.5.3 P型半导体(NAND) 温度升高使： ⒉饱和电离区 载流子浓度为： 费米能级为： ⒊过渡区： 载流子浓度为： 费米能级为： ⒋高温本征激发区： 3.6 简并半导体 非简并情况下，EF位于离开能带边较远的禁带中，分布函数可以用Boltzman分布函数近似表示。 但有时候费米能级会接近带边甚至进入能带中．如：在只含施主杂质的N型半导体中，在低温弱电离区，费米能级随温度的增加而上升到一极大值，然后逐渐下降．如果此值超过了导带底，则在费米能级达到极大值前后的一段温度范围内，半导体的费米能级实际上是进入了导带．这种情况必须用费米分布函数来分析导带中的电子或价带中的空穴的统计分布问题，称为载流子的简并化，发生载流子简并化的半导体称为简并半导体．本节我们就来讨论载流子简并化对载流子分布的影响： 3.6.1 简并半导体的载流子浓度 求解简并半导体的载流子浓度的思路和前面非简并半导体中载流子浓度的求解一样。 导带电子浓度 引入无量纲的变数 和简约费米能级 再利用Nc的表达式，导带电子浓度为 同理可得：价带空穴浓度 在非简并情况下，费米能级位于离开带边较远的禁带中，即 则： 其中的 称为费米积分。 3.6.2 简并化条件 对N型半导体,可以把EF与EC的相对位置作为区分简并化与非简并的标准，即简并化条件。如: 对P型半导体则以EF与EV的相对位置作为简并化条件。 非简并 当温度一定时，根据给定的简并化条件，可以计算半导体达到简并化时对掺杂浓度的要求。当掺杂浓度超过一定数量时，载流子开始简并化的现象称为重掺杂。 弱简并 简并 3.6.3 低温载流子冻析效应、禁带变窄效应 ⒈低温载流子冻析效应 对含有杂质的半导体，当温度低于某一温度时，杂质只有部分电离，尚有部分载流子被冻析在杂质能级上，对导电没有贡献，这种现象成为低温载流子冻析效应。当半导体中掺杂浓度较高时，低温下半导体可以处于简