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2017-08-20 发布于上海
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4°偏轴sic衬底外延工艺研究 epitaxial growth process for 4°off-axis sic substrates.pdf

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4°偏轴sic衬底外延工艺研究 epitaxial growth process for 4°off-axis sic substrates

第33卷--第1期固体电子学研究与进展 V01．33．No．1 2013年2月 RESEARCHPROGRESSOFSSE Feb．，2013 4。偏轴SiC衬底外延工艺研究李赘+ 尹志军朱志明赵志飞陆东赛 (南京电子器件研究所，微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室，南京，210016) 2012一II一06收稿，2012—11—23收改稿摘要：4。偏轴SiC衬底上生长的外延薄膜容易出现台阶形貌，外延薄膜表面的台阶形貌对后续制作的器件性能有着一定的影响。主要研究了进气端C／Si比及生长前刻蚀工艺对4。偏轴衬底外延的影响。采用外延生长前的氢气刻蚀 SBD结构外延材料。利工艺，结合掺杂浓度缓变的缓冲层设计，在4。偏轴的SiC衬底上制得了表面无台阶形貌的SiC 700VSBD器件的研制。用优化工艺生长的4。偏轴衬底上的SBD结构外延材料目前已经全面应用于600-1 关键词：同质外延；衬底偏角；台阶形貌；肖特基二极管文献标识码：A 文章编号：1000—3819(2013)01—0068-04 中图分类号：TN304．05；TN304．2+4 for SiCSubstrates GrowthProcess4。Off-axis Epitaxial ZhifeiLU LIYunYIN ZHU ZHAO Zhijun Zhiming Dongsai andModules (Scienceand onMonolithic Circuits Technology Integrated Laboratory， ElectronicDevices Nanfing Institute，Nanjing，210016，CHN) substratessufferfrom whichis on4。off—axisSiC Abstract：Epilayers step—bunching grown harmfulfordevice influenceof ratioandin-situ performance．Theinputc／si pre—growthetching on On was inthis SBDstructure 4。 processepilayermorphologyinvestigatedpaper．A epilayer off—axisSiCsubstratewithout was in—situ