5～12 ghz新型复合管宽带功率放大器设计 5 ～ 12 ghz broadband microwave amplifier using a novel composite transistor.pdfVIP

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2017-08-20 发布于上海
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5～12 ghz新型复合管宽带功率放大器设计 5 ～ 12 ghz broadband microwave amplifier using a novel composite transistor.pdf

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5～12 ghz新型复合管宽带功率放大器设计 5 ～ 12 ghz broadband microwave amplifier using a novel composite transistor

Electronic 5—12GHz新型复合管宽带功率放大器设计程华1，严唯敏2，滑育楠3，胡善文3，高怀3 (1．东南大学苏州研究院高频高功率器件与集成技术研究中心，江苏苏州215123；2．苏州大学应用技术学院，江苏苏州215325；3．东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心，江苏南京210096) 摘要利用一种新型HBT复合晶体管结构设计了一款宽带功率放大器。有效抑制了HBT的大信号l(iIII【效应。采用微波仿真软件AWR对电路结构进行了优化和仿真。结果显示，在5—12GHz频带内，复合晶体管结构的输出阻 dB压缩点处 GHz工作频率时，其l 抗值更稳定，带宽得到有效扩展，最高增益达到lldB，带内波动0．5dB，在9 的输出功率为26dBm。关键词宽带匹配；Kink效应；GaAsHBT；复合晶体管中图分类号TN325文献标识码A 文章编号1007—7820(2010)10—018—04 5一12GHzBroadbandMicrowave ANovel Transistor AmplifierUsing Composite Huai’ ChengHual。YahWeimin2，HuaYunan’，HuShanwen’，Gao PowerDeviceand Research Research (1．HighFrequencyHigh IntegratedTechnologyCenter，Suzhou Mechanical InstituteofSoutheast 215 of University。Suzhou 123，China；2．Department Electrical TechnicalofSoochow 215325，China； Engineering，AppliedCollege University，Suzhou ASIC Research 3．National Center，Southeast SystemEngineering AbstractAnovelbroadband is a transistor ofaninverted poweramplifierdesignedusingcomposite consisting Kink ofGaAsHBT．Simu— transistor toastandardRF transistortoalleviatethe parallel．connected power phenomenon lation resultsbasedonAWRsoftshowthatthenovel transistorCan astable im- and optimizati