8～18 ghz微波低噪声放大器的设计与实现 design and implementation of 8～18 ghz microwave low noise amplifier.pdfVIP

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2017-08-20 发布于上海
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8～18 ghz微波低噪声放大器的设计与实现 design and implementation of 8～18 ghz microwave low noise amplifier.pdf

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8～18 ghz微波低噪声放大器的设计与实现 design and implementation of 8～18 ghz microwave low noise amplifier

第z85第1期固体电子学研究与进展 V01．28。N。．1 2008年3月 RESEARCHPROGRESS0FSSE Mar．，2008 8～18 GHz微波低噪声放大器的设计与实现董建明，王安国1何庆国2郭文椹2李振国2 (1天津大学电子信息工程学院，天津，300072)(2中国电子科技集团第13研究所，石家庄，050051) 2007—04-12收稿，2007—07—24收改穑摘要：采用平衡式结构设计了微波宽带低噪声放大器，测试结果：在频率为8～18GHz的宽带内增益大于30 dB，增益平坦度小于3dB，噪声系数小于2．0dB，输入输出驻波比小于2．5，1dB压缩点输出功率为15．8dBm。该放大器制作在氧化铝陶瓷基板上。关键词：鹰配高电子迁移率晶体管，平衡式结构}宽带低噪声放大器；兰格耦合器中图分类号：TN722．3 文献标识码：A 文章编号：1000一3819(2008)01—075—06 and of8,--,18GHz DesignImplementation MicrowaveLowNoise Amplifier DONG WANG HE Wenzhen2LI Jianmin91 Angu01Qingguo。GUO Zhengu02 (1SchoolElectronic of InformationEngineering，Tianjin University，Tianjin，300072，CHN) (2The13th Institute，CETC，．S^乒azhuang，050051，CHN) Abstract：AbroadbandlOWnoise was andmanufactured．Mi— pHEMT amplifier designed circuitbalanced wereusedto thecircuit．Thewasassem— crostripand techniques design amplifier bledonA1203 the ofmorethan1 octaveband from8GHzto substrate，coveringfrequency range 18 flatness3dB，noise GHz，achievingperformancesmeasured：gain30dB，gain figure2。0 and dB dBm． y．sⅣR2．5，and1 15．8 dB，inputoutput compresspointoutputpower Key structure；broadbandcoupler words：pHEMT；balanced LNA；Lange