350～470mhz的sige bicmos低噪声放大器 a 350～470mhz sige bicmos low noise amplifier.pdfVIP

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2017-08-20 发布于上海
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350～470mhz的sige bicmos低噪声放大器 a 350～470mhz sige bicmos low noise amplifier.pdf

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350～470mhz的sige bicmos低噪声放大器 a 350～470mhz sige bicmos low noise amplifier

第28卷第2期固体电子学研究与进展 V01．28，No．2 2008年6月 RESEARCHPROGRESS0FSSE Jun．，2008 350～470 MHz的SiGe BiCMOS低噪声放大器张浩+ 李智群陶胜李文渊王志功 (东南大学射频与光电集成电路研究所，南京，210096) 2007一06—05收稿，2007—08—27收改稿摘要：给出了一个基于AMSo．35肛mSiGe 移动通信系统手持机中。该低噪声放大器采用单端发射极电感反馈的共发共基管联结构，工作频率范围为350～ 470MHz。在3．3V的电源电压下的测试结果为：最小噪声系数1．45dB，增益19．3dB，输人1dB压缩点一19．5 dBm，消耗电流3．8mA。关键词：锗硅；双极互补金属氧化物半导体；低噪声放大器；共发共基文献标识码：A 文章编号：1000—3819(2008)02—215一05 中图分类号：TN722．3 A MHzSiGeBiCMOSLowNoise 350～470 Amplifier ZHANGHaoLI TA0 LI WANG Zhiqun ShengWenyuan Zhigong (I懈矗cMce毋RF一oE—fCs，S0mknstUni。er矗c，，Nnnjing．210∞6，CHN) introducesthe ofa lownoise AMS Abstract：Thispaper design amplifier(LNA)using SiGeBiCMOS fortrunkcommunications．ThisLNAusesa O．35pm technology single—ended common—emitter withinductiveemitter Theband common-base(cascode)topologydegeneration． LNAextendsover MHz．TheLNAachievesanoise ofthe 350～470 1．45dB，a figure(ⅣF)of of19．3 an 1一dB 9．5dBm．Thedccurrentis powergain dB，andinput compressionpointof一1 3．8mAunderone of3．3V． supply noise words：SiGe；BiCMOS；low Key amplifier；cascode EEACC：1220 1 引言 2 电路设计及其优化早在公众移动通信规模发展之前，无线通信一低噪声放大器是无线通信射频接收电路中的重直应用于各专业领域。随着公众移动通信的长足发要模块，它是接收端的