530～650 mhz 20w cw si-vdmos场效应晶体管 530～650 mhz 20w cw si-vdmosfet.pdfVIP

第29卷第2期 固体电子学研究与进展 V01．29，No．2 2009年6月 OFSSE Jun．，2009 RESEARCHPROGRESS MHz CW 530～65020W 刘洪军’ 傅义珠 李相光 (南京电子器件研究所．南京．210016) 2008—01一Z3收穑．2008·03—31收改穑 MHz 摘要：报道了530～650 的多层复合栅技术降低栅串联电阻，采用栅下场氧化垫高技术降低反馈电容，采用穿通型硅外延材料优化导通电 阻提高器件工作效率，全离子注入自对准工艺等技术，在上述频带内，连续波，28V工作电压下，静态电流50mA． 该器件输出功率达20W，效率达49％．增益大于7．5dB。 关键词：连续波；硅一垂直双扩散金属氯化物场效应晶体管；多层复合栅 中图分类号：TN386．1文献标识码：A 文章编号：1000-3819(2009)02—192—03 530～650MHz20WCWSi—VDMoSFET LIU FUYizhuLI Hongjun Xiangguang ElectronicDevices (Na，彬ng Institue，Nanfing，210016，CHN) Abstract：ASi—VDMOSthatcandeliverCW of20Wat530～650MHzhas outputpower been is for the seriesres— developed．ThemultiplexpolySi／WN／Augateemployed gate reducing istance．The isalsoblocked of LOCOS(Localoxidationsilicon) multiplexgate upbyusing toreducethe feedback silicon materialischosen technique gate capacitance．Penetratedepilaxial to device isusedfor the improveefficiency．Fullion—implantationtechnique self—alignment．In fromMHz MHzthedevicecan of Wwith 530 to650 deliverCW 20 frequencyrange outputpower the 7．5dBanddrain of V．h 28V mA． powergain efficiency49％