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2017-08-20 发布于上海
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600 v c00lmos 优化设计 optimal design of a coolmos with 600 volts breakdown voltage

第32卷第2期电子器件 v01．32No．2 C‰l瞄e Ekt啪n眦 2009年4月 J舢朋啪0f Apr．2009 ofaC00lMOSwith600VoltsBreakdown DesigIl Voltage Optimal yANG№以，QMNQ门咖订g，SUN肌i一丘行g’ (N口fio加ZASfC$sf跏勘g抽卯ri打gRPs∞rf^(hfPr，S0“￡^船st叽i御rsiq，№可i醒2l0096，凸i加) hasbeen have a600VCool— Abstract：(二oolMOS to exceUentDCcharacteristics．Inorderto proved design MOSstructure，thestructureofCoolMOSandthe balance wasusedfor the charge theory analyzingprinci— of BV andlow was theoretical ple high R册．Relativedesignparametergetthrough pa— rametersofthe(bolMOS structure(EPI dose，cellsize，diffusiontime)havebeen parameter，implantation thesimulation whiletheBVof optimizedby ofTCAD the(bolMOSstructure software．Finally，wegot thestructurewas630Vandthe thestructure、^ras12．5 ofdevices Ror认of only mQ·cm～．Characteristics was betterthanconventionalMOSFET． greatIy power simulation；breakdown Keywords：CoolMOS；chargebalance；deVice voltage；RonA EEACC：2570 600 VCoolMOS优化设计杨帆，钱钦松，孙伟锋+ (东南大学国家专用集成电路系统工程技术研究中心，南京2l0096) 摘理论，分析了其高击穿电压Bv、低导通电阻如的原理。通过理论计算。得到相关的设计参数，并结合TcAD软件对C00l— M()s的多个参数(外延参数、注入剂量、单胞尺寸、推阱时间)进行了优化。最终得到击穿电压为630V，特征导通电阻R帆A仅为12．5mQ·锄_2的CoolMoS结构，器件特性大大优于传统功率M0sFET。关键词：cooIM()S；电荷平衡；器件模拟；击穿电压；特征导通电阻中图分类号：TN386