4 wmm蓝宝石衬底algangan hemt 4 wmm algangan hemts grown on sapphire substrate.pdfVIP

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2017-08-20 发布于上海
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4 wmm蓝宝石衬底algangan hemt 4 wmm algangan hemts grown on sapphire substrate

第27巷第3期固体电子学研究与进展 V。l，27，N03 2007年8月 SSE Aug．，2007 0F RESEARCH＆PROGRESS 4 HEMT W／mm蓝宝石衬底AlGaN／GaN 任春江“李忠辉焦刚董逊李肖陈堂胜李拂晓 (单片集成电路与模块国家级重点实验室，南京，210016) 2006一Ol—05收稿，2006-02一z0收改穑摘要：报道了利用南京电子器件研究所生长的蓝宝石衬底AlGaN／GaN算质结材料制作的HEMT，器件功率输出密度达4w／mm。通过材料结构及生长条件的优化．利用MOcvD技术获得了二维电子气(2DEG)面密度为 ooo o．97×10”cm～、迁移率为1cm2／、飞的AlGaN，GaN异质结构材料．用此材料完成了艟长1pm、栅宽200pm 试得到2GHz下器件的饱和输出功率密度为4．04w／mm。美键词：氮化镶；高电子迁移率晶体管；二维电子气}单位截止频率}最高振荡频率中围分类号：TN325+．3文献标识码：A 文章编号，1000一3819(2007)03—320-05 Grownon substrate 4 HEMTs W／mmAlGaN／GaN Sapphire REN LI XunLI CHEN LIFuxiao JIAO DONG Xiao Chun亚a“gZhonghuiGa“g Ta“gshe“g (N口fio月“K叫厶z如煳I。掣盯肛on洲r^七h押gmfedC伽“f拈dnd肘耐“z￡j，Ⅳd，耐”g，210016，CⅣⅣ) HEMTson substratewerefabricatedwith4 Abstract：A1GaN／GaN W／mm grownsapphire deviceswitha of1 and4 widtho{200wete outputp。werdensity．The length gate pm gate pm fabricatedonthe MOCVD AlGaN／GaNheterostructure on substrate． samplegrownby sapphire 2一demensionalelectron ofO．97×1013cm一2and of1 000 gas(2DEG)density mobiIity cm2／Vs weremeasuredHallmeasurement．Acurrentcut—off of