4～8ghz宽带单片集成低噪声放大器设计 design of 4-8 ghz broadband monolithic low noise amplifier.pdfVIP

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2017-08-20 发布于上海
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4～8ghz宽带单片集成低噪声放大器设计 design of 4-8 ghz broadband monolithic low noise amplifier.pdf

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4～8ghz宽带单片集成低噪声放大器设计 design of 4-8 ghz broadband monolithic low noise amplifier

a叶技2011年第24卷第10期 ElectronicSci．＆Tech．／Oct．15．2011 4～8G 宽带单片集成低噪声放大器设计俞汉扬，陈良月，李昕，杨涛，高怀 (1．东南大学集成电路学院，江苏南京 210096； 2．苏州英诺迅科技有限公司苏州市射频功率器件与电路工程技术研究中心，江苏苏州 215123) 摘要基于0．15 mGaAsPHEMT工艺设计了一款c波段宽带单片集成低噪声放大器。电路由三级放大器级联而成，三级电路结构均使用电阻自偏压技术来实现单电源供电，它既可保证PHEMT管处于低噪声高增益的工作点，又可将所有元器件集成在单片GaAs衬底上，解决了供电复杂的问题。第三级电路采用了并联负反馈结构，降低了带内低频端增益，提高了高频端增益，从而改善了增益平坦度。利用微波仿真软件AWR对电路进行了仿真和优化，结果显示，在4—8GHz频带内，噪声系数1．4dB，增益达23-4-0．5dB，输入输出驻波比2．O：1。关键词自偏置；低噪声放大器；PHEMT；单片微波集成电路；C波段中图分类号 TN722．3 文献标识码 A 文章编号 1007—7820(2011)12—038—04 Designof4—-8GHzBroadbandM onolithicLow NoiseAmplifier YU Hanyang ，CHEN Liangyue ，LIXin ，YANG Tao ，GAO Huai (1．ICInstitute，SoutheastUniversity，Nanjing210096，China； 2．SuzhouInnotionTechCo．．Ltd RFPowerDeviceandCircuitEngineeringResearchCenter，Suzhou215123，China) Abstract A C—Bandbroadbandmonolithiclow noiseamplifierisdesignedbasedon0．15 x／m GaAsPHEMT process．Thecircuitisformedbycascadingthreestagesofamplifiers．Tosolvetheproblem ofcomplexpowersup— ply，eachofthestageusesaself-biasedresistancetoachieveasinglepowersupply．ItnotonlyensuresPHEMTto workatanoptimumoperationpointwithlownoiseandhighgain，butintegratesallcomponents(includingthebias circuit)inamonolithicGaAssubstratealso．Aparallelnegativefeedbackstructureisusedinthethirdstageofthe circuittoreducegainofthelow—rfequencybandandraisegainofthehigh—rfequencyband，whichimprovesthegain flatnessoftheamplifier．Resultsfrom simulationbasedonAWRMicrowaveOfficeshowthatthedesignedLNA hasa noisefigure(NF)below1．4dB，apowergainof23dB，againflatnessoflessthan ±0．5dBandinputandoutput VSWRoflessthan2．0overtherfequencyrangeof4～8GHz． Keywords self-bias；LNA