ic外延电阻相似失效案例的比较与分析 the comparison and analysis of similar failure cases about ic epitaxial resistance.pdfVIP

下载本文档

3
0
约1.71万字
约 8页
2017-08-20 发布于上海
举报
版权申诉

ic外延电阻相似失效案例的比较与分析 the comparison and analysis of similar failure cases about ic epitaxial resistance.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

ic外延电阻相似失效案例的比较与分析 the comparison and analysis of similar failure cases about ic epitaxial resistance

lC外延电阻相似失效案稠的比较s分析电子质量(2013第06期) IC外延电阻相似失效案例的比较与分析 IC The and ofSimilarFailureCasesabout Resistance ComparisonAnalysis Epitaxial 周桂丽，赵铝虎，周卫宏(华越微电子有限公司，浙江绍兴312016) Zhou Microelectronics Shaox— Gui-li,ZhaoLv-hu，Zhou Wei-hong(HuaYueCO．，LTD．,Zhejiang in9312016) 摘要：该文通过分析外延层外延电阻率变化，场注入偏浓和埋层上浮三个Ic制品生产线最常见的典型案例，比较明确三者之间的异同，了解和认识PCM相关参数的变化情况。同时也记录不同失效类型，并予以归类。关键词：外延电阻；埋层上浮；场注入中图分类号：TN407 文献标识码：B 文章编号：1003-0107(2013)06-0017—08 Abstract：Basedonthe ofthree failure in casesIC line．which analysis typical manufacturingincludingepi— taxial resistancevariation，excessivefiledion-immissionandthe N+B thesimi— floatingThroughcomparing laritiesanddifferencesbetween canunderstandand the ofPCM them，we graspchanges parameters It‘Salsoconvenientfor outand differentfailuremodes． quickly sorting calssifying N+B；filedionimmission Keywords：epitaxialfesistance：fIoaling CLCnumber：TN407Documentcode：B Article ID：1003—0107(2013)06—0017-08 0引言 1外延相关参数或图形变化导致PCM变化情况无论是IC还是VDMOS都是在外延上生长的器 1．1外廷电阻RSN变化情况分析件，外延是器件形成的基础【l】。在IC中，外延电阻率的变化直接影响到PCM的多项参数变化。场注人浓度变化、 1．1．1外延电阻RSN简单介绍埋层上浮实际上也会影响到外延层和隔离图形。此三者如