lab6场发射阴极阵列的制备工艺研究 research on fabrication of lab6 field emitter arrays.pdfVIP

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2017-08-20 发布于上海
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lab6场发射阴极阵列的制备工艺研究 research on fabrication of lab6 field emitter arrays.pdf

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lab6场发射阴极阵列的制备工艺研究 research on fabrication of lab6 field emitter arrays

第32卷第2期电子器件 V01．32No．2 0fE1ectronmvio婚 2009年4月 C衄艘J伽mal Apr．2009 ResearchonFabricationof FieldEmitter LaB6 Arrays W．ANG W西 BP刀一Z妇挖，LJN乙一Z“以。，WANG X谊叫“，CA0 (S曲00z D，(珍fo-髓盯frD，|缸h如，7mfi明，踟i御珊的o，日∞frM站i册卯口耐n抽加zogyD厂c^fm，西“gd“610054·oi”口) emissiondiode onthe materialswerefabricatedmicromachin— AbStmct：Field arrays singlecrystalLaB6 by Aseriesof ofsemiconductor ingtechnologies． processes technologiesincluding andelectrochemicalcorrosionwereintroducedtofabricatefieldemitter sure，development，etching arrays the with The was electrochemicalcorrosionof keypoint singlecrystalLa战materials goodperfomances． A of weremadetofindoutthe coatedwithmask number layers．large experiments optimaltechnologypa— the and of currentof timeof rameters，includi electrolyte，the electrolyze， ng type deepness electr01yze，the with were etc．And fieldemitter surface and obtained． then，the arraysgood appearance，heightroughness emitter corrosion 酗rwo时s：I。a战；filedarrays；semiconductortechnologies；electrochemical EEACC：2240 LaB6场发射阴极阵列的制备工艺研究王本莲，林祖伦。，王小菊，曹伟 (电子科技大学光电信息学院．成都610054) 摘要：