mocvd生长双有源区algainp发光二极管 mocvd growth two active regions algainp led.pdfVIP

光电子·激光 of V01．19No．5 2008 第19卷第5期2008年5月 JournalOptoelectronics·Laser May M0殴∞生长双有源区AIGaInP发光二极管* 韩 军一，邢艳辉，李建军，邓 军，于晓东，林委之，刘 莹，沈光地 (北京工业大学电子信息与控制工程学院，北京市光电子技术实验室，北京100022) 摘要：设计并用金属有机物化学气相沉积方法生长了双有源区AIGalnP发光二极管，该发光二极管的两个～一 GaIn_P有源区用高掺杂的反偏隧道结连接。双有源区发光二极管在20mA注入电流下，主波长为623nm，峰值 波长为633nnl，电压为4．16V，光强为163med。 关键词：红光发光二极管；隧道结；金属有机物化学气相沉积 中图分类号：TN312+．8文献标识码：A 文章编号：1005-0086(2008)05-0591-04 AIG