p型氮化镓退火及发光二极管研究 investigation of p-gan thermal annealing and light emitting diode.pdfVIP

第27卷 第2期 固体电子学研究与进展 V01．27，No．2 2007年5月 RESEARCHPROGRESSOFSSE May，2007 p型氮化镓退火及发光二极管研究+ 邢艳辉 韩 军 刘建平 牛南辉 邓 军 沈光地 (北京工业大学电子信息与控制工程学院，北京，100022) 2006一07一17收稿，2006一09—22收改稿 热退火进行研究。用Hall测试系统测量不同温度、不同时间退火后样品的电学性能；对一组蓝光LEDs分别进行不 同退火温度、退火时间实验，对退火前后量子阱峰值强度半高宽和积分面积变化进行了比较研究。实验表明p—GaN 在825。C、8min条件下退火可以取得较高的空穴浓度，而LED在7500c、30min退火可以使量子阱的半高宽展宽较 小，积分强度降低百分比小，而且LED芯片正向电压也较小。 关键词：氮化物；p一氮化镓；电学特性；发光二极管 中图分类号：TN312+．8文