p型重掺杂应变si1-xgex基区内建电场的物理机制 physical mechanism of the built-in electric field for sige hbt with heavy p-doping.pdfVIP

第28卷第6期 半导体学报 VOI．28NO．6 CHINESEJOURNA。L 2007年6月 OFSEMICONDUCTORS June，2007 Gex基区内建电场的物理机制 P型重掺杂应变Sil--x 赵传阵’ 唐吉玉 文于华 吴靓臻 孔蕴婷 (华南师范大学物理与电信工程学院，广州510006)． 摘要：采用解析的方法计算了在基区掺杂为高斯分布，Ge组分分布为三角形分布和矩形三角形分布时基区内建 电场的变化情况．重新拟合了价带有效态密度公式，并在计算内建电场时考虑了导带有效态密度的影响．发现加入 Ge组分后引起的导带有效态密度变化、价带有效态密度变化以及禁带宽度变窄量变化对基区内建电场的影响要 大于掺杂对内建电场的影响．Ge组分为三角形分布时，在总的Ge组分一定的条件下，内建电场从发射结到集电结 逐渐变大．在任一给定位置x处，内建电场随着Ge组分的增加而增大．当Ge组分分布为矩形三角形分布