rpcvd生长sige薄膜及其性能研究 investigation on sige film growth by rpcvd and its performance.pdfVIP

工毯T术edmi与quePI嘲 e材ndMa料terials驴俨 doi：10．3969／j．issn．1003—353x．2010．08．012 RPCVD生长SiGe薄膜及其性能研究 柳伟达，周旗钢，何自强 (北京有色金属研究总院有研半导体材料股份有限公司，北京100088) 摘要：利用应用材料公司外延设备，在Si(001)衬底上，通过RPCVD方式生长出完全应 变、无位错的SiGe外延层。通过x射线衍射和原子力显微镜测试技术，得到了外延层Ge摩尔分 数、外延层厚度、生长速率以及表面粗糙度等参数，研究了运用RPCVD方法制备的应变SiGe外 延层的生长特性以及薄膜特性。结果表明，在660℃所生长的薄膜，其XRD图像均出现了 0．6nmo 关键词：减压化学气相沉淀；锗硅；外延；应变薄膜；表面粗糙度；生长速率 中图分类号：TN304．1文献标识码：A 文章编号：1003—353X(20LO)08．0791．03 on FilmGrowthRPCVDandIt