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第三章 MEMS制造技术 3.1 集成电路基本制造技术 3.2 体微加工技术 3.3 表面微加工技术 3.4 其他微加工技术 简介 集成电路简史 集成电路制造概述 MEMS制造概述 集成电路与MEMS制造比较 集成电路简史 电子技术的发展是以电子器件的发展而发展起来的。 电子器件的发展，历经近百年，经历了四个阶段的更新换代：电子管 晶体管 集成电路 超大规模集成电路 历次变革都引发了电子技术和信息技术的革命。 以下为电子器件发展年表： 1906年： 第一只电子管诞生 1912年前后：电子管的制造日趋成熟引发了无线电技术的发展 1918年前后：逐步发现了有一类半导体材料 1920年： 发现半导体材料所具有的光敏特性 集成电路简史 1924年： 发现半导体与金属接触时具有的整流特性 1932年前后：运用量子学说建立了能带理论研究半导体现象。 1940年：对半导体的理性研究有文章成果发表 1943年：研制出硅点接触整流二极管-美国贝尔实验室 1943年前后：电子管已成为电信息处理和传输设备的主体 1945年：第一台[电子管电子数字积分计算机（ENIAC）]诞生 集成电路简史 1947年12月：肖克莱和巴登等人发明半导体锗点接触三极管 1948年：提出半导体的PN结理论并制成硅结型晶体三极管 1955年：硅结形场效应晶体管问世 1956年：硅台面晶体管问世 1956年：肖克莱因在半导体领域的系列成就获诺贝尔奖 1956年：肖克莱半导体实验室成立 1957年：美国仙童半导体公司成立（由肖克莱半导体实验室解体而成）Intel公司总裁葛洛夫为仙童半导体公司的创始人之一 集成电路简史 1958年：超高频硅微波晶体管问世 1959年：提出汽相制备单晶硅晶层的设想并或成功 1959年：硅与锗等主要半导体材料的氧化物特性数据 1959年：德州仪器建成世界第一条集成电路生产线 1960年：发明以硅外延平面结构为架构模式的晶体管制造技术，被后人称为硅外延平面工艺技术。该技术虽经不断完善，但其思路的实质未变，沿用至今。该技术解决了此前无法解决的晶体管性能上的若干矛盾，为晶体管由分立的模式 集成电路制造概述 超净间(Clean room)亦称为无尘室或清净室。 “超净间”是指将一定空间范围内之空气中的微粒子、有害空气、细菌等之污染物排除，并将室内之温度、洁净度、室内压力、气流速度与气流分布、噪音振动及照明、静电控制在某一需求范围内，而所给予特别设计之房间。亦即是不论外在之空气条件如何变化，其室内均能俱有维持原先所设定要求之洁净度、温湿度及压力等性能之特性。 超净间最主要之作用在于控制产品(如硅芯片等)所接触之大气的洁净度日及温湿度，使产品能在一个良好之环境空间中生产、制造，此空间我们称之为“超净间”。 超净间(Clean room)按用途分类（可分为两大类） 工业超净间 　　以无生命微粒的控制为对象。主要控制空气尘埃微粒对工作对象的污染，内部一般保持正压状态。 它适用于精密机械工业、电子工业（半导体、集成电路等）宇航工业、高纯度化学工业、原子能工业、光磁产品工业（光盘、胶片、磁带生产）LCD（液晶玻璃）、电脑硬盘、电脑磁头生产等多行业。 生物超净间 　　主要控制有生命微粒（细菌）与无生命微粒（尘埃）对工作对象的污染。 超净间构成 超净间并非简单的净化环境，还需要配合过渡间1（更衣间）、过渡间2，风淋室、工作间1、工作间2和传递间等。 洁净度标准：每立方米体积内大于0.5微米颗粒数的平均值作为评判标准，具体级别划分如下 MEMS制造概述 典型MEMS器件 加速度传感器(ASXL 202 Accelerometer) 平面工艺 ＋ 3D technology 基础电路与MEMS制造比较 集成电路领域已经非常成熟 集成电路制造技术成熟、标准化 高层次设计工具 设计与制造完全分立 MEMS远未成熟 没有标准的MEMS制造技术 没有高层次设计工具 设计任何一个简单的MEMS器件，都需要对制造有深入的理解 MEMS发展的主要限制在于制造 And so we begin… 3.1 集成电路基本制造技术 3.1.1 集成电路使用的材料 硅材料 硅片制造 3.1.2 光刻工艺 光刻胶的主要性能 光刻工艺 光刻机 ASML、Canon、Nikon 25％半导体工业设备投入 提高分辨率的方法 波长 248nm/193/157nm 数值孔径 0.85 3.1.2 薄膜沉积 化学气相淀积(Chemical vapor deposition) 热氧化 (Thermal oxidation) 物理气相淀积 (Physical vapor deposition ) 外延 (Epitixy) 化学气相淀积 二氧化硅 氮化硅 热氧化技术 1 二氧化硅膜的结构