不同光刻胶作保护层对a-igzo tft性能的影响 effect of various photoresist protectors on the performance of a-igzo tft.pdfVIP

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2017-08-20 发布于上海
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不同光刻胶作保护层对a-igzo tft性能的影响 effect of various photoresist protectors on the performance of a-igzo tft.pdf

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不同光刻胶作保护层对a-igzo tft性能的影响 effect of various photoresist protectors on the performance of a-igzo tft

第35卷第4期电子器件 Vol_35No．4 2012年8月 Ch……J川J叫JrJEIHt刚lD#州rs A“g．2叭2’ EffectofVariousPhotoresistProtectorsonthePerformanceofa．IGZOTFT+ 勰4ⅣG＆昭1一，删‘ⅣG胁n4，删』】、『G (】＆h。oz矿肼p圳nnd￡r肾…昭，s“n‰∽enⅣ，洲…，G…舻^oⅡ510275“m“； 2胁魁…4rm“D皤“一^忆小M岛nd，DrJ’wg…G眦噌由咐523080，“mⅡ． 3 D。7槲…“￡e棚(0￡ED)7“，m!哪+船，n’“ss…zG㈨“g由7皤523080，吼‘肌， 4忆f￡fⅡm矿O蚯D，，耐圳zMfT靠^Ho蛔)矿仉哪“帆，DD增g…c““蹭山增523080，c^…) discu5sestlleiilⅡue【lceufvariuu8 the Abstract：Thi8 on elect订cal ofthebottom p8per pIlu“】Msistprotectors pmpenles iswitha—IGZOasIheactive PulsedDC foundthat gatedTrr，which 18yerd。positedby sputte打“g．Theinvestlgation the canⅡlainl{linthe inashort wilhche elect五cal photoreslst electri。pmpertiespedod pIUtector．Then，lheproperties to thethreshold theworkmodes from be百n dete打omte，e8peciallyvolta98s dec8yobviously，and cha“ge 【o whenth8 devicesare m山ealrfora tlmeIt’slnferred djssolvantmthe depleIion pmtected pl矗ed that，the contacts耐ththe photoreslst I(ZOchannelandtheche面calrea(-tionbetweenthemcausesdesorptionofoxygen， whichⅢakestheca而erconcentration increaseBesides foundthattheelect打cal are that，theinvestigatlon prope币es smallerin a11d jfJ wi出SU一8 asthe thantheothers． dec8yhjgJlerstability photodsistpmtecIor words：a—IGZ0 Key TFT；photoresist；protecto。；SU一8；stability EEACC：2120doi：10．3969／j．issn．1005—9490．2012．04．004 不同光刻胶作保护层对五一IGZO TFT性能的影响张耿1’2，王娟4，向桂华4，蔡君蕊3，孙庆华4，赵伟明2，¨+ (1中山大学理工学院，广州510