3传感器和基础效应.docVIP

传感器与基础效应 物性型传感器是利用某些物质(如半导体、陶瓷、压电晶体、强磁性体和超导体等)的物性随外界待测量作用而发生变化的原理制成。它利用了诸多的效应(包括物理效应、化学反应和生物效应)和物理现象，如利用材料的压阻、湿敏、热敏、光敏、磁敏、气敏等效应，把应变、湿度、温度、位移、磁场、煤气等被测量变换成电量。而新原理、新效应(如约瑟夫逊效应)的发现和利用，新型物性材料的开发和应用，使物性型传感器得到很大的发展，并逐步成为传感器发展的主流。因此了解传感器所基于的各种效应，对物性型传感器的深入理解、开发和使用是非常必要的。表l—4—1列出了主要物性型传感器所基于的物理效应及所使用的材料。 第一节 光电效应 物质在光的作用下释放电子的现象称为光电效应。被释放的电子称为光电子。光电子在外电场中运动所形成的电流称为光电流。光电效应的实验规律为： (1)光电流的大小与入射光的强度成正比； (2)光电子的初动能只与入射光的频率有关，而与入射光强度无关； (3)当入射光的频率低于某一极限频率(称为红限频率，随金属不同而异)时，不论光强的强弱，照射时间的长短，均无光电子产生； (4)从光照开始到光电子被释放出来，整个过程只需10-9s以下的时间。 上述光电效应的实验规律巳由爱因斯坦的光量子理论给予了完满的解释。光电效应一般分为光电子发射效应、光导效应和光生伏特效应三类。 一、光电子发射效应 光电子发射效应又称外光电效应。它是指金属在光的照射下，释放的光电子逸出金属表面的现象，是1887年由德国人赫芝发现的。基于该效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。 光子是具有能量hv的粒子。频率为v的光则是以一群能量各为hv的粒子在空间传播。当金属中的电子吸收了入射光子的能量时，若足以克服逸出功φ，那么电子就会逸出金属表面，产生光电子发射，逸出的光电子动能为： 式中h——普朗克常数，为6．6261×10-34(J·s)；v——光的频率(s-1)；me——电子质量，me=9．1095×10-31(kg)；v0——电子逸出速度(m·s-1)；φ——超出功(J)，也称功函数，是一个电子从金属或半导体表面逸出时克服表面势垒所需作的功，其值与材料有关，还与材料表面状态有关。 单位时间逸出的电子数，即发射的光电流i与光强成正比，即 式中P——入射光功率；η——外光量子效率，它与材料及表面状态有关，是波长λ的函数 e——电子电荷量。 二、光导效应 物体受到光照时，其内部原子释放的电子留在内部而使物体的导电性增加，电阻值下降的现象称为光导效应或称内光电效应。绝大多数的高电阻率半导体都具有光导效应。基于光导效应的光电器件有光敏电阻(亦称光电导管)，其常用的材料有硫化镉(CdS)、硫化铅(PbS)、锑化铟(InSb)、非晶硅(a—si：H)等。 纯半导体在光线照射下，其禁带中的电子受到能量大于或等于禁带宽度Eg(eV)的光子的激发，由价带越过禁带跃迁到导带，成为自由电子。同时，价带也因此而形成自由空穴。致使纯半导体中导带的电子和价带的空穴浓度增大，半导体电阻率减小。 三、光生伏特效应 物体(如半导体)在光的照射下能产生一定方向的电动势的现象称为光生伏特效应。基于该效应的光电器件有光电池、光敏二极管和光敏三极管。 1．侧向光生伏特效应 当半导体光电器件的光灵敏面受光照不均匀时，由载流子浓度梯度形成载流子的扩散而产生的光电效应称为侧向光生伏特效应。基于该效应工作的光电器件有半导体位置敏感器件(简称PSD)， 由于电子迁移率比空穴的大，致使被光照部分带正电，未被光照部分带负电，两部分之间产生光电动势。 2．pn结光生伏特效应 光照射到距表面很近的半导体pn结时，结及附近的半导体吸收光能。若光子能大于禁带宽度，则价带电子跃迁到导带成为自由电子，而价带则相应成为空穴。这些电子空穴对在pn结内部电场的作用下，电子移向n区外侧，空穴移向P区外侧，结果P区带正电，n区带负电，形成光电动势。基于此效应的光电器件有光电他、太阳电他、光敏二极管和三极管等。 3．光电磁效应(同称PEM效应) 半导体受强光照射并在光照运直方向外加磁场时，垂直于光和磁场的半导体两端面间产生电势的现象称为光电磁效应。它可以看成是光扩散电流的霍尔效应。Ge、InSb、InAs、PbS、 CdS等材料均有明显的光电磁效应。 4．贝克勒耳(Becquerel)效应 贝克勒耳效应是液体中的光生伏特效应。当光照射浸在电解液中的两个同样电极中的任一个电极时，在两个电圾间将产生电势的现象称为贝克勒耳效应。基于该效应的有感光电池。 第二节 电光效应 物质的光学特性(如折射率)受外电场影响而发生变化的现象统称为电光效应。 一、泡克耳斯(Pockels)效应 平面偏振光沿处在外电场内的压电晶体的光铀传播时发生双折射现象(称为电致双折射