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2017-08-21 发布于上海
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对拥有结终端保护的高压4h-sic pin二极管的研究 study on high voltage 4h-sic pin diode with junction termination protections.pdf

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对拥有结终端保护的高压4h-sic pin二极管的研究 study on high voltage 4h-sic pin diode with junction termination protections

第32卷第3期固体电子学研究与进展 V01．32，NO．3 2012年6月 OFSSE Jun．，2012 RESEARCHPROGRESS 对拥有结终端保护的高压4H—SiC PIN二极管的研究‘ 张发生” 陈育林 (中南林业科技大学计算机与信息工程学院，长沙，410004) 2012 03一01收稿，201204—09收改稿压4H—SiCPIN二极管耐压特性进行了模拟仿真计算，并取得了很多有价值的计算结果。利用平面制造工艺，结合仿真提取的参数，试制了高压4H—SiCPIN二极管。实验测试结果表明，仿真计算的结果与实际样品测试的数据～致性较好，实测此器件击穿电压值已达到1650V。关键词：碳化硅；二极管；结终端；模拟；击穿电压；工艺中图分类号：TN312+．4文献标识码：A 文章编号：1000—3819(2012)03—0225—05 on PIN 4H—SiCDiode StudyHighVoltage with Termination Junction Protections ZHANG CHENYulin Fasheng (School and ofComputerInformationEngineering，CentralSouth of UniversityForestry and Technology，Changsha，410004，CHN) this Abstract：In characteristicsofthe 4H—SiCPINdiodeswith paper，reverse highvoltage terminationaresimulatedadevice junction protection using simulatorISEl0．0onthebasisofthe theoreticalfor 4H—SiCPINdiodes，andthenalotofvaluableresultsareob— analysishighvoltage tained．The 4H—SiCPINdiodeswith termination junction arefabricated highvoltage technique tothesimulation useof be— according analyticalparametersby planarprocess．Goodconsistency tween simulationand datais