多晶硅薄膜晶体管泄漏电流建模 modeling of leakage current in polycrystalline silicon transistor.pdfVIP

下载本文档

5
0
约1.84万字
约 5页
2017-08-21 发布于上海
举报
版权申诉

多晶硅薄膜晶体管泄漏电流建模 modeling of leakage current in polycrystalline silicon transistor.pdf

1、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。。
2、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

多晶硅薄膜晶体管泄漏电流建模 modeling of leakage current in polycrystalline silicon transistor

第31卷第4期电子器件 v01．31No．4 Chinese Devic自 2008年8月 JourmlⅨElectron Aug．2008 of Currentin SiliconTransistor。 ModelingLeakage Polycrystalline HU Bin’ Yun-feng．LI (MicroelectronicsChina 510641，China) Institute，SouthUniversityTechnology，Guangzhou of currenti§amain forthe of silicon polycrystalline Abstract：Leakage problem application TFT)，the of currentin TFTis for onthermionicfield modclingleakage p-Si importantdesigners．Based an modelwhich a． emission，this model the shows paperpresentsanalyticalbyapproximatingphysical good with data of modelissuitable overawide of biasand greementexperimental rangegate temperature．The for inacircuitsimulator． implementation field model Keywords：p-siTFT；leakagecurrent；thermionicemission；analytical EEAOC：2220E 多晶硅薄膜晶体管泄漏电流建模* 胡云峰，李斌’ (华南理工大学微电子研究所，广州510641) 摘要：泄漏电流是多晶硅薄膜晶体管应用的一个主要问题，多晶硅薄膜晶体管泄漏电流的建模对集成多晶硅薄膜晶体管设计和工艺改进具有重要意义。本文以陷阱辅助热电子场致发射理论为基础，通过对物理模型的近似处理，提出了一个在大的栅压范围和温度范围内与实验数据吻合较好的多晶硅薄膜晶体管泄漏电流解析模型。模型适合于电路仿真器。关键词：多晶硅薄膜晶体管；泄漏电流；热电子场致发射；解析模型中图分类号：TN44 文献标识码：A 文章编号：1005—94知(2∞8)O}l104加5 近年来，随着多晶硅薄膜晶体管(polycrystal-TFT设计和工艺改进具有重要意义。 line thin-film silicon transistor：p-SiTFT)技术的不一般认为，p-SiTFT的泄漏电流是栅漏交叠区