非对称halo-ldd掺杂石墨烯纳米条带场效应管的电学特性研究 study on electrical properties of asymmetric halo-ldd-doped graphene nanoribbon fet.pdfVIP

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2017-08-21 发布于上海
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非对称halo-ldd掺杂石墨烯纳米条带场效应管的电学特性研究 study on electrical properties of asymmetric halo-ldd-doped graphene nanoribbon fet.pdf

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非对称halo-ldd掺杂石墨烯纳米条带场效应管的电学特性研究 study on electrical properties of asymmetric halo-ldd-doped graphene nanoribbon fet

第33卷第3期固体电子学研究与进展 V01．33，No．3 2013年6月 RESEARCH＆PROGRESSOFSSE Jun．，2013 onElectrical of HALO-LDD—- Study PropertiesAsymmetric NanoribbonFET+ dopedGraphene SitaoXIAO WANGWei“ JIANG Guangran Electronicand Postsand of Science of (College Engineering，Na,oingUniversity Telecommunications，Nanjing，210003，CHN) nanoscaleconventionalMOSFET—likenanoribbonfield—effecttran— Abstract：The graphene fromtheexcessive ofthedevice duetothe sistors(GNRFET)suffer degradation performance short—channeleffect(SCE)andDIBLeffectswiththedecreasesofchannel this paper。 length．In anovelstructureof with HALO—LDD nearthesource GNRFET non—symmetricaldopingprofile anddraincontactshasbeen can theSCEandDIBL．A suppress proposed，whichefficiently quan— turnkineticmodelbasedontwo Green7S dimensional(2D)non—equilibrium solved withPoisson7S is to thedevicebehaviorof developed self—consistently equations investigate GNRFETs．Combinedwiththedevice influenceofdevicedimensionson workingprinciple，the currentcharacte“s