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致冷参放，噪声性能最好，但设备相当复杂、成本昂贵，实际使用较少。 1．超低噪声非致冷参量放大器 低噪声砷化镓场效应管和硅双极晶体管放大器取得了新的进展，在电路的设计和工艺结构上进行了革新： (1)?? 采用计算机辅助设计； (2)?? 采用精巧的微带线工艺； (3)?? 多级组件式结构。 它们的低噪声性能仅次于参量放大器，并已在实用中逐步取代行波管高放和遂道二极管放大器。 2．低噪声晶体管放大器 3．混频器的发展趋势 （1）混频产生的高次分量 非线性混频的过程将产生许多寄生的高次分量。这些寄生响应将会影响非相参雷达和相参雷达对目标的检测性能。 混频器上的电压为： 混频器输出的非线性电流 ： (2)混频器的型式 混频器的种类较多，在混频器内必须有射频、本振和中频信号与非线性器件（如肖特基二极管）的耦合装置； 不论是哪种方式，目的都是为每个信号提供三个独立且相互隔离的端口； 所有不希望的响应都应该使用滤波、移相或抑制的方法从输出端除去。 1)单端混频器的型式 早期的单端混频器，但由于输出的寄生响应大而且对本振的影响严重，噪声性能也差，目前已很少使用。 2)平衡混频器 平衡混频器可以抑制偶次谐波产生的寄生响应，还可抑制本振噪声的影响，因此被广泛使用。其噪声性能、工作频率和抗烧毁能力都较好。 本振功率从本振端口输入，由两个共扼端口输出，这两个本振输出电压大小相等，相位相差90°。信号从信号端口输入，也由两个共扼端口输出，这两个电压也大小相等，相位相差90°。对于二极管D1，所在支路的信号和本振是 V1=VRcos?Rt十VLcos(?Lt －90°) D1上的中频信号为：I1=a2VRVLcos[?Rt －(?Lt －90°)] = a2VRVLcos(?IFt ＋90°) 对于二极管D2，所在支路的信号和本振为 V2=VRcos (?Rt－90°)十VLcos?Lt D2，上的中频信号为：I2=a2VRVLcos[?Rt－90°－?Lt] = a2VRVLcos(?IFt －90°) 从上面可以看出:两个相差180°的中频信号，其中一个经反向二极管导向后，在中频输出端信号刚好相加。 3)镜像抑制技术 对于给定的中频?IF ，高于或低于本振的信号(信号频率等于?Lt＋?IFt或?Lt－?IFt)都能产生中频输出。如果其中之一被认为是所要求的信号频率，则另一个通常被称为镜像频率，在雷达接收机中，一般都需要从信号响应中消除镜像频率的影响。如果中频足够高，而射频带宽又相对较窄，以至于信号和镜像频率频谱带宽不相重叠(雷达接收机中用二次变频来提高中频频率就是为了使信号和镜像频率的频谱带宽不相重叠)，此时镜频响应可用适当的滤波方法来滤除。 采用镜像抑制技术和低变频损耗的砷化镓肖特基混频二极管，使混频器的噪声性能进一步得到改善。理论分析和实践证明，镜像抑制混频器的噪声系数比一般镜像匹配混频器低2dB左右。 从以上分析可知，只需根据?R ?L或?R ?L，适当选择端口7或端口8，就可以收到所需信号边带，而抑制无用的镜像边带，此时，只要在无用的中频输出的端口上接一个匹配负载，就可以吸收掉无用的镜像干扰。 采用一个二极管电桥和两个平衡到不平衡变换器，保证了射频和本振端口隔离良好，二极管电桥提供了高低频直流通路，工作带宽宽，且有适中的噪声系数，是当前使用最广泛的一种混频器。 4)双平衡混频器 4．微波单片集成接收模块 模块在砷化镓单片上包含有完整的接收机高频电路，即衰减器、环行器、移相器和多级低噪声高频放大器等。 本机振荡器和自动频率控制 1.实际中频fI偏离正确中频fI0（误差Δfi）主要原因: (1)磁控管振荡器的预热漂移、温度漂移、负载变换引起的频率牵引效应和电子频移； (2)由于电源变化、温度变化引起本机振荡器的频率漂移； (3)在采用机械跳频抗干扰的雷达中，由于机械跳频统调不准确所引起的失谐误差等。 S波段：Δfi＝2 MHz~3MHz X波段：Δfi＝10 MHz~15MHz 中放带宽BI： S波段典型值：1 MHz~2MHz X波段典型值：5MHz~10MHz 必须采用自动频率控制，使fI 接近中频fI0。 2.自动频率控制(AFC)系统的类型 控制由反射式速调管或压控振荡器构成的本机振荡器的AFC系统； 采用不调谐的稳定本振，控制磁控管的频率 的AFC系统。 现代雷达系统对本机振荡器的短期频率稳定度有极高的要求，接收机采用相位稳定性极高的本机振荡器，