“磁性材料的现状与未来 -2013幻灯片.ppt

equivalent circuit Mott‘s two current model for bulk materials magnetic metal M R 巨磁电阻的物理本质是自旋极化电子流的输运性质，从而发展出以调控自旋为核心的自旋电子学。 自旋阀( Spin valve) 多层膜的饱和磁场太高，磁场灵敏度低，为此采用自旋閥结构。 自由层（低矫顽力磁性薄膜，如：Ni 80Fe20 合金） 非磁层（如铜等非磁层薄膜） 铁磁层 （磁性薄膜,NiFe; FeCo) 钉扎层（反铁磁层，如：FeMn;MnIr) 隧道磁电阻效应 TMR（Tunneling magneto-resistance) FM/I/FM TMR=2P1P2 / (1+P1P2). P -自旋极化率 Lee,Y.M..et al.,A.P.L. 90(2007) 212507 CoFeB/MgO/CoFeB TMR RT:500% 5K:1010% 磁电子学 与自旋相关的输运性质 磁致电阻效应 AMR,GMR,TMR,CMR---- 应用 读出磁头 MRAM 磁传感器 自旋电子学 （GMR,TMR,CMR） 磁电子学 半导体自旋电子学 磁电阻效应传感器 自旋－FET 高密度磁头 自旋－LED MRAM 逻辑元件 自旋晶体管 量子计算机 分子自旋电子学 e ? TMR芯片的应用. TMR芯片 ~ 每年200亿人民币磁性传感器市场 MRAM ; Spin Transistor Nonvolatility, increased data processing speed, decreased electric power consumption, increased integration densities , and anti-irradiation emitter base collector Spin transistor: three-terminal,bipolar device Spin-Transfer Torque MRAM (STT-MRAM) Yiming Huai, AAPPS Bulletin Dec.18(2008)33 最近报道采用电压调控自旋的MeRAM,具有低能耗、高密度的优点，可望成为全新的芯片，将现在的微机磁盘与芯片合二为一。 MRAM－磁动态随机储存器 优点：非易失性；抗辐射性；高集成度； 高运算速度；低功耗；长寿命 与DRAM比：非易失性；抗辐射性；高运算速度。 与Flash比：低功耗；长寿命； 存取速度比Flash快千倍。 因此，MRAM除做内存外，尚可做外存。 MgO绝缘层隧道结的研究成功；自旋转矩（Spin- transfer torque)的实际应用，显著加快MRAM 的实用化。 (~) 2-4 GHz Spin-torque oscillator-RF Device D.Houssameddine et al.,Nature materials 6(2007)447 半导体自旋电子学 自旋注入－－极化电子的传输与控制－－检测 自旋自由度 电荷自由度 半导体自旋电子学 M.E. Flatte’ Nature vol462/26/419(2009) Charge switching Spin switching Ebit = kTln2~23 meV Volatility Non-resist radiation Low Power Non-Volatility Resist high radiation 源 漏 门 V=0 V?0 Rashba 效应 FM 电场 高电阻态 低电阻态 Spin FET 优点: 功耗低，速度快 S.Datta and B.Das, Appl. Phys. Lett. 56,