数字电路与逻辑设计 第7章 半导体储存器和可编程逻辑器件.pptVIP

第7章　半导体存储器和可编程逻辑器件 7.1　半导体存储器 　　存储器的存储媒介有多种，应用范围也非常广泛。 软磁盘 磁带 硬盘 内存条 光盘 优盘 数码相机用SM卡 7.1.1　概　述 7.1.1.1　半导体存储器的特点与应用 7.1.1.2　半导体存储器的分类 7.1.1.3　半导体存储器的主要技术指标 7.1.1.1 半导体存储器的特点与应用 　　半导体存储器是用半导体器件来存储二值信息的大规模集成电路。 　　集成度高、体积小、可靠性高、价格低、外围电路简单且易于接口、便于自动化批量生产。 　　半导体存储器主要用于电子计算机和某些数字系统，存放程序、数据、资料等。 7.1.1.2 半导体存储器的分类 　　１．按制造工艺分类： 　　双极型：工作速度快、功耗大、价格较高。 　　MOS型：集成度高、功耗小、工艺简单、价格低。 　　２．按存取方式分类： 　　顺序存取存储器(SAM)：如先入先出型和先入后出型。 　　随机存取存储器(RAM)：包括静态存储器(SRAM)和动态存储器(DRAM) 。 　　只读存储器(ROM)：包括固定ROM、可编程ROM。可编程ROM又可分为PROM、EPROM、EEPROM和快闪存储器（FLASH　Memory）。 　　１．存储容量 　　存储器包含基本存储单元的总数。一个基本存储单元能存储１位(Bit)的信息，即一个0或一个1。 存储器的读写操作是以字为单位的，每一个字可包含多个位。 例如： 字数： 字长：每次可以读(写)二值码的个数 总容量 　　２．存取时间 　　反映存储器的工作速度，通常用读(或写)周期来描述。 7.1.1.3 半导体存储器的主要技术指标 7.１.2　顺序存取存储器（SAM） 7.1.2.1　动态CMOS反相器 7.1.2.2　动态CMOS移存单元 7.1.2.3　动态移存器和顺序存取存储器 Sequential Access Memory 7.1.2.1 动态CMOS反相器 　　由传输门和CMOS反相器组成。电路中T1、T2栅极的寄生电容C是存储信息的主要“元件”。 　　２．MOS管栅电容C的暂存作用 　　栅电容C充电迅速，放电缓慢，因此可以暂存输入信息。若每隔一定时间对C补充一次电荷，使信号得到“再生”，可长期保持C上的1信号，这一操作过程通常称为“刷新”。　　CP的周期不能太长，一般应小于１ms。 　　１．电路结构 图7-2-1 动态CMOS反相器 vI + – TG1 CP C R VDD T2 T1 vO CP ? + – 7.1.2.2 动态CMOS移存单元 动态CMOS移存单元由两个动态CMOS反相器串接而成。 　　当CP=1时，主动态反相器接收信息，从动态反相器保持原存信息；CP=0时，主动态反相器保持原存信息，从动态反相器随主动态反相器变化。每经过一个CP，数据向右移动一位。 主 从 1位 I TG1 CP C1 VDD T2 T1 O CP TG2 CP C2 VDD T4 T3 CP 图7-2-2 动态CMOS移存单元 7.1.2.3 动态移存器和顺序存取存储器 　　１．动态移存器 　　动态移存器可用动态CMOS移存单元串接而成，主要用来组成顺序存取存储器(SAM)。 　　由于需要读出的数据必须在CP的推动下，逐位移动到输出端才可读出，所以存取时间较长，位数越多，最大存取时间越长。 0 1 2 1023 ··· 串入 串出 CP CP 1位动态移存单元 图7-2-3 1024位动态移存器示意图 　　(1) 循环刷新 　　片选端为0。只要不断电，信息可在动态中长期保存。 　　(2) 边写边读 　　片选端为1，写/循环为1，且读控制端也为1。 　　(3) 只读不写，数据刷新 　　片选端为1，写/循环为0，读控制端为1。 　　２．先入先出(FIFO)型SAM 　　特点： 每次对外读(或写)一个并行的８位数据，即一个字。 SAM中的数据字只能按“先入先出”的原则顺序读出。 逻辑图 图7-2-5 m×4位FILO型SAM I/O控制电路 1 EN Q0 Qm-1 ? ? ? m位双向移存器 SL/SR CP G2 G1 I/O0 R/W CP EN EN I/O3 EN 1 1 1 Q0 Qm-1 ? ? ? m位双向移存器 SL/SR CP ● ··· ··· 　　３．先入后出(FILO)型SAM 写操作： 　　移存器执行右移操作，由I/O端最先送入的数据存于各移存器的最右端。 读操作： 　　移存器执行左移操作，存于各移存器最左端的数据最先由I/O端读出。 ≥1 G20 G30 1024位动态移存器 CP CP O0 G40 I0 ≥1 G21 G31 1024位动态移存器 CP CP O1 G41 I1 ≥1 G27 G37