基于4t像素结构的cmos图像传感器设计 cmos image sensor design based on 4t pixel structure.pdfVIP

电子科技2007年第10期(总第217期) 基于4T像素结构的CMOS图像传感器设计 陈 雷1’2，韩泽耀1，曹庆红2 (1．上海交通大学微电子学院，上海200030；2．中芯国际集成电路制造有限公司服务部，上海2叭023) 摘要传统的cM0s图像传感器采用3T像素结构，但由于自身结构的关系，整体性能难以满足较高的要 求，4T像素结构应运而生，它比3T像素有更小的噪声，更好的性能；同时要求控制部分更加复杂。文中介绍 了基于一种4T像素结构的图像传感器的设计。 关键词3T；4T；APS；图像传感器 中图分类号TP212 Sensor 4TPixel CMOS BasedOn Structure Image Design Chen Han Leil一， zeya01，CiaoQinghan92 of (1．SchoolMicroelectronics，SJTU，Shanghai200030，China； of 2．DepartmentdesignService，SMIc，shanghai201203，China) AbstractThe ofatmditionalCMOS sensorcannotmeet duetoits perfomance image h培hrequirement 3T 4Tstnlcturehasthe the3TstllJetureof10wernoiseandbetter structure．7rhe over pixel advantage perfo珊一 on needsacontr01lerof This introducesaCMOS sensor based ance，but greater image design complexity．paper the4T stmcture． pixel sensor KeywOrds3T；4T；APS；CMOS；image cM0s图像传感器是在20世纪60年代末期出在图像传感器中最常用的光敏器件是反偏PN 现的由IBM和仙童公司开发的双极型和MOS光敏 Photo 二极管阵列结构¨J。，但由于其性能的不完善严重 Diode)，它们的像素结构分别如图l和图2 影响了图像质量，从而制约了它的发展和应用。 所示‘引。 在20世纪70年代和80年代，ccD在可见光成像 方面取得了唱主角的地位。进入20世纪90年代， 由于对小型化、低功耗和低成本成像系统消费需 要的增加，芯片制造技术和信号处理技术的发展， 为新一代低噪声、优质图像和高彩色还原度的 cMoS传感器的开发铺平了道路，cM0s传感器的 性能因此大大提高，cMOs图像传感器成为固体图 像传感器的研究开发热点。21。 收稿日期：2007讲一10 图1 反偏PN结光电二极管像素结构(3T) 作者简介：陈 雷(1979一)，男，工程师，硕士研究生。 研究方向：产品工程和测试。