薄膜的制备及其力学性能测试方法难点.docx

薄膜的制备及其力学性能测试方法摘要：本文介绍了多种薄膜的制备方法和优缺点，同时介绍了纳米压痕和鼓泡法两种力学性能测试方法。关键词：薄膜制备 纳米压痕法 鼓泡法 力学性能0引言 近年来,随着工业的现代化、规模化、产业化,以及高新技术和国防技术的发展,对各种材料表面性能的要求越来越高。20世纪80年代,现代表面技术被国际科技界誉为最具发展前途的十大技术之一。薄膜、涂层和表面处理材料的极薄表层的物理、化学、力学性能和材料内部的性能常有很大差异,这些差异在摩擦磨损、物理、化学、机械行为中起着主导作用,如计算机磁盘、光盘等,要求表层不但有优良的电、磁、光性能,而且要求有良好的润滑性、摩擦小、耐磨损、抗化学腐蚀、组织稳定和优良的力学性能。因此,世界各国都非常重视材料的纳米级表层的物理、化学、机械性能及其检测方法的研究。[1]同时随着材料设计的微量化、微电子行业集成电路结构的复杂化,传统材料力学性能测试方法已难以满足微米级及更小尺度样品的测试精度,不能够准确评估薄膜材料的强度指标和寿命 ;另外在材料微结构研究领域中, 材料研究尺度逐渐缩小,材料的变形机制表现出与传统块状材料相反的规律[2],所以薄膜的制备及其力学性能测试方法就成了重点。薄膜材料的制备方法1.1化学气相沉积法 化学气相沉积是一种材料的合成过程,气相原子或分子被输运到衬底表面附近,在衬底表面发生化学反应,生成与原料化学成分截然不同的薄膜。化合物蒸汽一般是常温下具有较高蒸汽压的气体,多采用碳氧化物、氧氧化物、卤化物、有机金属化合物等。化学气相沉积法成膜材料范围广泛,除了碱金属、碱土金属以外,几乎所有的材料均可以成膜,特别适用于绝缘膜、超硬膜等特殊功能膜的沉积。1.2真空热键法真空蒸镀法是将镀料在真空中加热、蒸发,使蒸发的原子或原子团在温度较低的基底上析出进而形成薄膜。加热镀料的方法主要是利用湾等高溶点金属通电加热(电阻加热法)和电子束加热法为主。为了防止高温热源的燃烧和镀料、膜层的氧化,必须把蒸镀室抽成真空。电阻加热法装置便宜、操作简单,广泛地应用于Cu、Ni、Au、Ag等材料成膜。而电子束加热法主要用于制备像半导体工业那样要求纯度极高的薄膜的制备,特别是在半导体和ICS导体布线用Al膜的蒸键方面应用最广。 真空蒸镀法的优点是工艺简便,纯度高,膜厚可以控制,通过掩膜易于形成所需要的图形。缺点是蒸镀化合物时由于热分解现象难以控制组分比,在低蒸气压下材料难以成膜。主要用于表面光洁、光学工业、电子工业、化学工业(如保护膜、装饰、钟表等)中。1.3溅射键膜法 溅射现象就像是在碎石子路上投掷一个球,石子会被撞飞出去那样。靶材前面的等离子体相当于球,勒材表面的原子相当于碎石子。溅射出来的原子就在靶材对面的基底上沉积成膜。由于靶材面积大,以光源类比就相当于面光源,所以一般可以得到厚度均匀的薄膜。将靶材置于阴极,衬底置于阳极,并在阴极加一个负的直流高压电就可以在工作气氛中激发等离子体进行溅射。解决绝缘材料溅射的方法是在祀材和衬底之间施加射频交流电场,在交流电场的负半周期内,等离子体内的正离子轰击勒材,而在正半周期内,电子被吸引到把表面中使正电荷得到中和。如果在勒的周围加上一个设计好的恒定磁场,将电子和高密度等离子体束缚在靶材表面附近,使得正离子有效地轰击靶面,可以显著地提高溅射速率,并且降低了衬底温度,避免了高能电子对衬底的轰击。这种方法叫做磁控溅射。 溅射镇膜法的优点主要有:膜基附着性能好,晃于保持化合物、合金的组分比。但是需要溅射靶,靶材需要精制,而且利用率低,不便于采用掩膜沉积。主要用于表面光洁、电子工业、保护膜、钟表眼镜、装饰和光学工业等[3]。1.4激光脉冲沉积法 随着高能脉冲激光器的出现,激光被用作蒸发热源,并取得了成功,这种技术被称为激光脉冲沉积。和传统的真空蒸发锻膜不同,高能激光可以使被照射区域的温度提高到上万度,导致被照射区域从简单的加热到以等离子体形式烧烛。烧烛物沿表面层法向喷出,与反应室内气氛气体的原子或分子发生弹性或反应性碰撞。并且烧烛物在气氛气体中激发起一个强冲击波,导致气氛气体或原子的激发、离解和电离,并进一步引起烧烛物中金属元素和气氛气体的化学反应。到达基底的烧烛物可能由于衬底的高温而挥发,或者被后续的烧烛物轰击而被溅射,沉积在衬底上的物质最终成核生长形成薄膜。 激光脉冲沉积的优点为:可以生长和靶材成份一致的多元化合物薄膜;易于在较低温度下原位生长取向一致的织构膜和外延单晶膜;由于激光的能量高,可以沉积难熔薄膜;灵活的换靶装置便于实现多层膜及超晶格膜的生长;在生长过程中可以原位引入多种气体,提高薄膜的质量;污染小。其缺点为:薄膜存在表面颗粒问题;很难进行大面积薄膜的均匀沉积。1.5分子束外延法 分子束外延法是利用分子束在超高真空系统中进行外延生长的方