镀膜技术介绍幻灯片.pptx

真空镀膜调研;真空镀膜：在真空中把金属、合金或化合物进行蒸发（或溅射），使其沉积在被涂覆的物体（称基片、基板或基体）上的方法。 真空镀膜亦称干式镀膜，与传统的湿法镀膜相比具有如下特点： 真空制备、环境清洁，膜层不易受污染，致密性好、纯度高、膜厚均匀。 膜与基体附着力好，膜层牢固。 不产生废液，避免环境污染。;薄膜制备方法;真空蒸发镀膜;蒸发源是真空蒸发镀膜机的关键部件，根据蒸发源的不同可将真空蒸发镀膜分为以下几种： ;电阻式蒸发镀膜;电子束蒸发镀膜;膜厚理论 点蒸发源;膜厚理论 面蒸发源; 真空蒸发镀膜最大的特点是成膜速度快、蒸镀面积大。但是，由于热蒸发的粒子能量低（0.1~1ev），膜层附着力差、容易脱膜，薄膜堆栈密度不高、致密性差，膜层表面粗糙，折射率降低[1]。;真空溅射镀膜;与真空蒸发镀膜相比，溅射镀膜有如下的优点： （1）溅射膜与基板之间的附着性好(10~100ev)。 （2）溅射镀膜膜层致密，针孔少，且膜层的纯度较高。 （3）相比于电子束蒸镀，溅射镀膜层更加光滑。 缺点： （1）溅射设备复杂、需要高压装置； （2）溅射淀积的成膜速度低，真空蒸镀淀积速率为1～ 2nm/s，而溅射速率为0.01～0.04nm/s； ;考夫曼离子源;霍尔离子源;离子源;由于直接用离子源进行镀膜，成膜速度太慢。目前，对于离子源的使用，多将其作为辅源用于离子束辅助沉积（IAD），配合电子束进行快速蒸镀。 IAD可以在镀膜前对基片进行清洗，清除表面污渍。也可以在电子束蒸镀的同时，使用离子源辅助沉积。这可以清除结合力较弱的粒子，增加密度、降低内应力，改善薄膜生长。 ;真空离子镀;真空离子镀特点; ;HfO2;SiO2;ZnS;MgF2;TiO2;材料特性：分子量441．89，密度8．74，熔点1800 ℃ ，在10-4Torr真空下的蒸发温度为2500℃。可用钽、钨舟、线圈加热蒸发，也可由钨坩埚加热蒸发，用电子束加热蒸发效果良好。Ta2O5薄膜的透明区为0．3~10um，其折射n=2.1(550nm)。可用于干涉涂层中作为高折射率薄膜材料，其机械性能极为牢固，强碱也不能将它腐蚀，所以还可作为保护涂层，特别是在高温环境中的应用。 镀膜方式：电子束蒸镀[1]，离子束溅射[2] ;Al;Ag;Au;