掺杂algangan hemt电流崩塌效应研究 a study on current collapse effect in doped algangan hemts.pdfVIP

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2017-08-21 发布于上海
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掺杂algangan hemt电流崩塌效应研究 a study on current collapse effect in doped algangan hemts

V01．30 第30卷第5期电子器件 No．5 2007年lO月 cbine∞JⅧrml0fBE‰Ⅻ∞ Oct．2007 A onCurrent Effectin HEMTs’ AlGaN／GaN Study Co¨apse D叩ed (h时i纰Po，脯c埘胁枷打5，ali肿5PA∞砌y0，＆舢5，BP4l略100029，西l肌) in HEMTshasbeenstudied DCbiaSstressto Abst眦t：Currentcollapse A1GaN／GaN doped byapplying deviceswithvarious structure．Ithasbeen doped layerstructures，includingundopedlayer thatcurrent effect in effectwas was structures．Andthe c01lapse suppressedeffectivelydoped suppressed more withthe of concentrationThe of AlGaN obviouslyincreasingdoping positivedependencedoping lay。 erisduetosurface fluctuationsmodulatethe insteadofthechannelwiththe potential dopedlayer doped the。therhand，the in AIGaN the2DEGchanne【fromthe Iayer．On positivechargesdoped layerprotect surfacestatebetweenmetalanddrain，whichelectronsandform gate capture noatinggat也 words：GaN；HEMT；current structure Key c01lapseeffect；doped EEAOC：2570 掺杂AlGaN／GaNHEMT电流崩塌效应研究’ 李诚瞻，刘键，刘新宇，刘果果，庞磊，陈晓娟，刘丹，姚小江，和致经 (中国科学院微电子研究所，北京100029) 摘要：对不同掺杂浓度AlGaN／GaNHEMTs施加直流偏置应力，研究掺杂AlGaN／GaNHEMTs电流崩塌效应．实验表明，掺杂AIGaN势垒层对器件电流崩塌效应有明显的抑制作用，随着掺杂浓度增加．掺杂对电流崩塌效应的抑制作用越显著．质电离后留下正电荷也能进一步屏蔽表面态对沟道2DEG的影响．关键词：GN；HEMT；电流崩塌效应；掺杂中图分类号：TN325．3 文献标识码：A AlGaN／GaN HEM