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基于load-pull系统的射频功率放大器的设计 design of a rf power amplifier based on load-pull system
第32卷第5期 电子器件 V01.32No.5
2009年10月 ChineseJournalOtElectronDevices 0ct.2009
ofaRFPower BasedonLoad—Pull
Design Amplifier System
CHENZ^uowei.y0UB切。
(MicroelectronicCADResearch 310018,China)
Institute,HangzhouDian2iUniversity,Hangzhou
RF a meth-
Abstract:Theof Power iS hot ofwirelesscommunicationsresearch,the
design Amplifiertopic
odsabout ofPAis 2.4GHzGaAsFET was basedonthe
diverse.A
design very poweramplifierdesigned
measuredreal realcircuitofthe 22d陆and
power powergain
parametersby Load-pullsystem.The output
12dBwas intheabsenceof model.ThiScircuitachievesa oftheGaAs
designed large-signal goodperformance
withtheconventionalmethods.出emethodbasedon is and
胍Compared systemsimplepractical.It
Load-pull
canmeasurethe oftheFErand the ofthe of
many designmentpoweramplifier.
parameters simplifyprocess
Keywords:RFamplifier;Output transistor;Impedancematching
power power;Load-pull;GaAs
EEAoC:1220
陈卓伟,游彬。
(杭州电子科技大学微电子CAD所,杭州310018)
摘 要:射频功率放大器的设计一直是无线通信研究的热点,而关于它的设计方法也非常多样。基于实际搭建的Load-pull
系统测试得到的数据设计实现了2.4GHz的GaAs场效应管的功率放大器。在没有大信号模型的情况下设计出的实际电路
的输出功率为22dBm,功率增益为12
计法简单、实用,能准确测试到场效应管的各项参数,简化了功率放大器的设计过程。
关键词:射频功率放大器;输出功率;Loapull;GaAs场效应管;阻抗匹配
中图分类号:TN72
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