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基于load-pull系统的射频功率放大器的设计 design of a rf power amplifier based on load-pull system.pdfVIP

基于load-pull系统的射频功率放大器的设计 design of a rf power amplifier based on load-pull system.pdf

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基于load-pull系统的射频功率放大器的设计 design of a rf power amplifier based on load-pull system

第32卷第5期 电子器件 V01.32No.5 2009年10月 ChineseJournalOtElectronDevices 0ct.2009 ofaRFPower BasedonLoad—Pull Design Amplifier System CHENZ^uowei.y0UB切。 (MicroelectronicCADResearch 310018,China) Institute,HangzhouDian2iUniversity,Hangzhou RF a meth- Abstract:Theof Power iS hot ofwirelesscommunicationsresearch,the design Amplifiertopic odsabout ofPAis 2.4GHzGaAsFET was basedonthe diverse.A design very poweramplifierdesigned measuredreal realcircuitofthe 22d陆and power powergain parametersby Load-pullsystem.The output 12dBwas intheabsenceof model.ThiScircuitachievesa oftheGaAs designed large-signal goodperformance withtheconventionalmethods.出emethodbasedon is and 胍Compared systemsimplepractical.It Load-pull canmeasurethe oftheFErand the ofthe of many designmentpoweramplifier. parameters simplifyprocess Keywords:RFamplifier;Output transistor;Impedancematching power power;Load-pull;GaAs EEAoC:1220 陈卓伟,游彬。 (杭州电子科技大学微电子CAD所,杭州310018) 摘 要:射频功率放大器的设计一直是无线通信研究的热点,而关于它的设计方法也非常多样。基于实际搭建的Load-pull 系统测试得到的数据设计实现了2.4GHz的GaAs场效应管的功率放大器。在没有大信号模型的情况下设计出的实际电路 的输出功率为22dBm,功率增益为12 计法简单、实用,能准确测试到场效应管的各项参数,简化了功率放大器的设计过程。 关键词:射频功率放大器;输出功率;Loapull;GaAs场效应管;阻抗匹配 中图分类号:TN72

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