基于soi衬底的一种新型磁敏晶体管研究 study on a new magneto-transistor formed on a soi substrate.pdfVIP

下载本文档

2
0
约2.28万字
约 4页
2017-08-21 发布于上海
举报
版权申诉

基于soi衬底的一种新型磁敏晶体管研究 study on a new magneto-transistor formed on a soi substrate.pdf

1、本文档共4页，可阅读全部内容。
2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

基于soi衬底的一种新型磁敏晶体管研究 study on a new magneto-transistor formed on a soi substrate

第29卷第3期电子器件 V01．29No．3 BK咖Dw岫 2006年9月 al嘛JⅨ叫0f Sep．2006 New Fo删蝴衄aSOI Study蚰aMa四e协Tra砸istor SubStrate WEN D妇十吐o，曙 (M酊0rL咖细{日s。，J帅}胛船dc西砌“．Hd2叽酊谊昭Lhf啪i廿，H口er断n150080，凸i眦) new circuitof Abstra“：A fo姗edonaSOISubstrateis magneto-rneasurementmagneto_transistor deigned Atheoreticalevaluationofthe withbase of n+一丌_n+traIlsistoris tIlanthe r11agneticsensitivitylengt}l larger effectivediffusion carriers，one ofthe isthemeasurementof length工捌of applicationmagneto．transistor field TheresultsshowthatatB一0．1T，thenew structurea magneticstrength type gives highmagnetic— a electricalcontrolo“hetransistor．Therecombination sensitivity△Ic／I白≈20％andgood regiongroove of tranSistorwas fabricatedtheMEMS magnetic_sensitive using y． techn0109 0f Keywords：D加h【e坷e甜0n，Ma鄹胁臼raI】si咖f；(sOI)su№ate，Mea鲫l㈣tma群l商cfidd；M勘假基于SOI衬底的一种新型磁敏晶体管研究温殿忠 (黑龙江大学集成电路重点实验室。哈尔滨150080) 摘要：设计了一种基于鲫衬底且由新型磁敏晶体管组成的磁敏测量电路。理论分析了n+一rn+晶体管基区长度犬于载流子有效扩散长度L_时的磁灵敏度。该磁敏晶体管可应用于磁场的测量．实验结果表明在磁场B—O．1T时，这种新型结构给出高的磁灵敏度即△Wb≈20％，并且有很好的电控制特性。该磁敏晶体管的槽形复合区采用M口骼技术制造。关键词：双注入I磁敏晶体管}sOI衬底}磁场测量，MEMs 中圈分类号：．IN33s 文