基于共振隧穿二极管的集成电路研究 research on the rtd-based integrated circuits.pdfVIP

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2017-08-21 发布于上海
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基于共振隧穿二极管的集成电路研究 research on the rtd-based integrated circuits.pdf

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基于共振隧穿二极管的集成电路研究 research on the rtd-based integrated circuits

第29卷第3期电子器件 V01．29№．3 2006年9月 (№J删0fEktⅫm№ S印．2006 ontlIe Iks翰rch R11)_b懿ed Circuits hteg豫ted ，丁k＆她m‰o，＆卅洳耐时甜胁哪u￡f删Tk^舯姗，，I埘if以to，＆，疵帆dl‘c∽’、、ncol‘钟辩Acd唧yo，＆拈憎ej，B州f昭100083．既砸， circuitshave in 爿融mct：RTDbased circuit，rnixeddrcIlit柚d importantapplicationsdigital sigllal optoP the lectronicw“h characteristicsof and system ultra_highspeed，lowpowerself-latdIing．The ofRTDwith H脚T，HBTandcMOSdevicesarefirst technologies introduce也High the andiow c主rcuitsare main and ofRTD_basedcir- powermernory presente(LF主mlly problemschallenge3 SiliconRTD LTG cuitsarediscussedbased combhedwith istherrlostsuitablecarldidateforfut山七 logic nano．scale circuit(ULsI)． ultra_largemegration wor凼：resonant Key tu加elingdiodes(R1、Ds)；integratedcircuit；high power frequency；Iow EeAOC：2s30C；2570 基于共振隧穿二极管的集成电路研究马龙’，黄应龙，余洪敏，王良臣，杨富华 (中国科学院半导体研究所半导体集成技术中心．北京100083) 摘要：RTD基集成电路所具有的超高速、低功耗和自锁存的特性，使其在数字电路、混合信号电路以及光电子系统中有着改进和延伸的基础上，对高速ADc／DAc电路和低功耗的存储器电路进行了具体的分析。最后对R’rD基电路面临的主要问题和挑战进行了讨论，提出基于硅基RTD与线性闽值门(L腽)逻辑相结合是未来纳米级超大规模集成电路的最佳发展方向。关键词：共振崖穿二极管t集成电路；高频}低功耗中图分类号：TN312；1N402 文献标识码：A 文章编号：1∞5．94如(20嘶)03-嘶27_的高速度与低功耗一直是电路设计者永不停止追统电路相比最主要的优点包括：一是它所具有的、多求的目标。在过去几十年的时问里，人们一直通过重稳态特性可以用来制作出十分紧凑的电路，具有器件特征尺寸的缩小实现电路性能的改善以及功耗