基于微机电技术的硅基射频电感的设计与仿真 design and simulation of si-based mems inductor.pdfVIP

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2017-08-21 发布于上海
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基于微机电技术的硅基射频电感的设计与仿真 design and simulation of si-based mems inductor.pdf

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基于微机电技术的硅基射频电感的设计与仿真 design and simulation of si-based mems inductor

第36卷第2期电子器件 V01．36No．2 Chinese ofElectronDevices 2013年4月 Journal Apr．2013 8 andSimulationofSi-BasedMEMSInductor Design ZHANG Na3 Baiyul”，GAOJianjunl，孙，YAN (1．School Scienceand ChinaNormal 200062，China； ofInformationTechnology，East University，Shanghai Institute and 200050，China； 2．ShanghaiofMierosystemInformationTechnology，StateKeyLaboratoryofnaasdncerTechnology，Shanghai 3．State 200433，China) KeyLaboratoryofASIC＆System，SchoolofMicroelectronies，FudanUniversity，Shanghai Abstract：RFinductorbasedonmicro—electromechanical a rolein systems(MEMS)technologyplayskey highquality circuitsduetoitssmall and factor(Q)microwaveintegrated volume，lowpowerdissipationhi【ghintegrationdensity．In this ofSi—basedMEMSinductoris common—used circuit paper，advanceddesigntechnique introduced，threeequivalent are models Structure beenusedto two3-DimensionMEMS Simulator(HFSS)has given．HighFrequency design structureandvertical model extraction aremade． structure)，the inductors(planar correspondingparameter procedures ThefabricationfortheMEMSinductorson siliconsubstrateare also．The inductorexhibits process N·type given planar amaximumfactorsof11．8at4．4 theverticalinductorexhibitsamaximumfactorsof19．5at quali