0.18μm nmos的重离子单粒子瞬态脉冲的仿真模拟 0.18 μm nmos heavy ion single event transient simulation.pdfVIP

0.18μmNMOSHeavyIonSingleEventTransientSimulation LIFei ANHaihua 10.3969/j.issn.1005-9490.2011.05.019 0.18μmNMOS的重离子单粒子瞬态脉冲的仿真模拟 李 飞 安海华 西安卫光科技有限公司，西安710065 摘 要：为了详细地了解纳米MOS电路中单粒子瞬变电荷收集机理，利用ISETCAD软件仿真二维模拟0.18μmNMOS的单 粒子瞬态脉冲。通过进行三种不同的电路连接方式和不同的粒子注入位置的仿真，得到了一系列单粒子瞬态电流脉冲(SET) 与时间的关系曲线。分析了不同电路连接方式和注入位置对SET的峰值和脉宽的影响。为下一步建立SET的精确模型进行 SET效应的模拟做基础的研究。 ISE仿真；NMOS;单粒子瞬态脉冲；单粒子注入位置 TM935.4 A 1005-9490(2011)05-0558-04 2011-05