原创力文档n2o气氛退火对sonos非易失性存储器性能的优化研究 study of optimizing the charge retention in sonos nonvolatile memory devices with n2o anneal.pdfVIP
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- 2017-08-21 发布于上海
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n2o气氛退火对sonos非易失性存储器性能的优化研究 study of optimizing the charge retention in sonos nonvolatile memory devices with n2o anneal
No．1
第34卷第1期 电子器件 V01．34
Chinese ofEleetmnDevices
201 Journal Feb．2011
1年2月
of the RetentioninSONOSNonvolatile
StudyOptimizingCharge
4
Deviceswith Anneal
Memory N20
ZHOU
Qu．1，LINGan92，LIXil，SHEN Gan92，SillYanlin91
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