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基于resurf理论的soi ldmos 耐压模型研究 soi ldmos withstand model based on resurf principle

第34卷第1期电子器件 V01．34No．1 ofElectronDevices 201 ChineseJournal Feb．201l 1年2月 ModelBasedon S01LDMOSWithstand RESURF Principle+ MIAO Huang，ZHENGWei，SHENTUXudan，UUJun，SUNLingling Tianle，口帅8，WANG CAD Dianzi Center，Hangzhou

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