基于氧化铪的高k栅介质纳米mosfet栅电流模型 modeling of tunneling current through hf-based dielectric films for nanoscale mosfet.pdfVIP

第26卷 第4期 固体电子学研究与进展 V01．26，No．4 OFSSE NoV．，2006 2006年11月 RESEARCHPROGRESS 王 伟b2孙建平3 顾 宁1 (1东南大学分子与生物分子电予学教育部重点实验室，南京，210096) (z南京邮电大学光电工程学院，南京，210003)(s美国密西根大学电气工程和计算机科学系) 2006一Ol—09收稿，2006一02—24收改稿 摘要：运用一种全量子模型研究基于氧化铪的高k栅介质纳米M0sFET栅电流，该方法特别适用于高k栅介 质纳米M0s器件，还能用于多层高k栅介质纳米M0s器件。使用该方法研究了基于氧化铪高k介质氮含量等元素 对栅极电流的影响。结果显示，为最大限度减少MOS器件的栅电流，需要优化介质中氮含量、铝含量。 关键词：高k；栅电流；量子模型