理论研究垂直腔半导体光放大器脉冲放大特性 theoretical studyon pulse amplification characteristics of vertical cavity semiconductor optical amplifiers.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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理论研究垂直腔半导体光放大器脉冲放大特性 theoretical studyon pulse amplification characteristics of vertical cavity semiconductor optical amplifiers.pdf

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理论研究垂直腔半导体光放大器脉冲放大特性 theoretical studyon pulse amplification characteristics of vertical cavity semiconductor optical amplifiers

第34卷第ll期光电工程、，01．34．N0．1l 2007年11月 Opt0-ElecⅡ伽icEngine甜ng Nov．2007 文章编号：1003—50lx(2007)11—004卜05 理论研究垂直腔半导体光放大器脉冲放大特-Il生王刚，罗斌，潘炜 (西南交通大学信息科学与技术学院，四川成都610031) 摘要：从速率方程和薄膜光学理论出发，对垂直腔半导体光放大嚣(vemcalcav时s鼬ic∞ductof唧ticalAmplin舯，简称vcsoAs)在脉冲工作情况下的动态增益进行了数值模拟。在计算中考虑了栽流子和光强沿光轴方向的不均匀性，以及腔内介质折射率的不连续性对光波传输的影响．详细分析了反射模式下vcsoA在脉冲通过时载流子密 DBR)周期数．输八脉冲能量以厦脉冲宽度等参量对脉冲放大中的能量增益的影响．结果表明，能量增益随抽运光功率增大而增加；在峰值功率一定时输入脉冲宽度的增加将减小能量增益；输入脉冲能量的增加也会引起能量增益的下降，而适当减少顶部DBR的周期教可以改善这种脉冲放大的能量增益饱和特性．关键词：激光器件；垂直腔半导体光放大器；速率方程；脉冲放大；能量增益 2484 中图分类号：TN 文献标志码：A 。， +1-．J。，J，+l {· Theoreticalon characteristics ampIincation studypulse of verticalsemiconductor caVity opticaIamplifiers ． W^NGGaⅡ2，LUoBiⅡ，PANWei nle ofthin五1m ofvemcal洲ty Abs打act：B船ed∞the眦eqlla廿蚰柏dtbeory optic母thedyⅡaIⅡi。铲in SeIlli∞nductor 10ngitudiⅡal 0p咖a1Ampli6哪(VcsoA)iⅡpuJ∞印emti∞condmollw勰邮merically缸mulat札Thc i11dex I蛐ifbnn蹦es0fmecar—er oftlIefe竹删ve jllside山e density粕d di踮on血mity the叩6cal响sily船wdl踮the r船∞aⅡt wavewefc协k％inIoacco岫tintbccalclllati皿The ofoptical ev0Ⅲ∞proce踞of cavi妙叩thc恤mission thc aIIdthe oftk c瓤d盯蛐i畔in(heql埔nnlⅢwelktempo吼Igain’吐他aber嘶onoutplIt neinnuenc器ofthe di鲥hIIted optical