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宽带ⅱ-ⅵ族磁性半导体的铁磁特性研究 ferromagnetic properties in ⅱ-ⅵ wide band gap diluted magnetic semiconductors
鬻霾霾蕊露盈翟翟豳圆圆I
I-V
宽带I I族磁性半导体的铁磁特性研究
张吉英李炳生申德振吕有明姚彬赵东旭张振中李炳辉范希武
(中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室，吉林长春130033)
【摘要】自旋电子学是凝聚磁学与微电子学的桥梁，从而将磁器件与微电子器件联系起来，而半导体自旋电
子学是在自旋电子学基础上发展起来的一门新兴学科。近年来，由于磁性半导体的铁磁特性及磁光特性的研
究迅速发展，使半导体自旋电子学的研究成为自旋电子学领域的一个重要分支，它着重于以磁性半导体为基
本材料的新型电子器件的研究。本文主要介绍宽带Ⅱ一Ⅵ族半导体铁磁特性的研究进展及一些初步的研究工
作。
关键词：宽带Ⅱ一Ⅵ族磁性半导体；磁隧穿结；铁磁特性
中图分类号：TN304．7
inlI-VIWideBand Diluted
FerromagneticProperties Gap Magnetic
SHENDe—zhen Bin
ZHANG LI Ln YAO ZHAO
ji—yingBing—sheng You—ming Dong—XU
ZHANG LI FANXi——wu
Zhen——zhong
Bing-hui
ofExcitedState Instituteof Mechanicsand
(KeyLaboratory Processes，ChangchunOptiCS，Fine Physics，
Chinese of
AcademySciences，Changchun130033，China)
isa new for
inrecent researchfield and somenovel
Abstract：Spintronicsdeveloped years studyingopeningup
new
of electronsand devices．Abrief ofitsresearchand
transportpropertiesspin—polarized description applications
is forthatofthewideband lI—VI semiconductors．
given，especially gap magnetic
band lI-VIdiluted
Keywords：widegap semiconductors；tunnelingproperties；ferromagneticproperties
1引 言 太低(低于2K)，使这方面的研究受到阻碍。20世
磁性半导体(稀磁或半磁半导体)所具有的铁 GaMnAs稀磁半导体铁磁特性开展了研究，并在
磁特性在最近几年才得到进一步证实。20世纪801998年成功使GaMnAs的居里温度提高至110Kt“，
从而使磁性半导体研究得到迅速发展，再一次激发了
年代就有人在ZnMnSe和CdMnTe宽带Ⅱ一Ⅵ族稀磁
半导体材料上观测到铁磁现象，但由于其居里温度 人们对磁性半导体材料铁磁特性的研究兴趣，并开辟
+国家自然科学基金资助项目：NN国家重点基金资助项
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