数字电子技术第七章半导体存储器.pptVIP

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  • 2017-08-22 发布于广东
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数字电子技术第七章半导体存储器

7.4 存储器的容量扩展 位扩展可以用多片芯片并联的方式来实现。 ①各地址线、读/写线、片选信号对应并联, ②各芯片的I/O口作为整个RAM输入/输出数据端的一位。 一、 位扩展--增加I/O端个数 【例】用1024×1 位的RAM扩展为1024×8 位RAM --八片 A 0 A 1 …… A 9 R/W CS 1024×1 RAM I/O A 0 A 1 …… A 9 R/W CS 1024×1 RAM I/O …… A 0 A 1 …… A 9 R/W CS 1024×1 RAM I/O I/O 1 I/O 2 …… I/O 7 …… …… A 0 A 1 …… A 9 R/W CS …… 二、字扩展(增加地址端个数) 【例】用1k×4 位的RAM扩展为4k×4 位RAM。 分析:N=4 1k=210,每片有10条地址线; 4k=212,需要12条地址线; 所以,需要增加2条高位地址线来控制4片分别工作,即需要一个2-4线译码器。 字扩展可以利用外加译码器控制芯片的片选CS端来实现。 ①各片RAM对应的数据线、读/写线对应并联; ②低位地址线也并联接起来; ③要增加的高位地址线,通过译码器译码,将其输出分别接至各片的片选控制端。 1K×4 (1) A0~ A9 WE CS D0~ D3 1K×4 (2) A0~ A9 WE CS D0~ D3 1K×4

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