纳米氧化物薄膜紫外光照下气敏性能研究进展 study progress of gas sensitive properties of nano oxide thin films under ultraviolet light radiation.pdfVIP

纳米氧化物薄膜紫外光照下气敏性能研究进展 study progress of gas sensitive properties of nano oxide thin films under ultraviolet light radiation.pdf

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纳米氧化物薄膜紫外光照下气敏性能研究进展 study progress of gas sensitive properties of nano oxide thin films under ultraviolet light radiation

第27卷第11期 电 子 元 件 与 材 料 、,0I.27N0.Il 2008年11月 ELECTRONIC00MPONENTSANDMATERIALS NOV.2008 纳米氧化物薄膜紫外光照下气敏性能研究进展 张宏1,林志东1一,艾华1 (1.武汉工程大学等离子体化学与新材料省重点实验室,湖北武汉430073;2.兰州理工大学甘肃省有色金属新 材料省部共建国家重点实验室,甘肃兰州 730050) 摘要:介绍了金属氧化物薄膜电极的制备方法与过程,阐述了紫外光作用于金属氧化物半导体的光照机理。基于 实际应用和市场需求,就有关光照后金属氧化物薄膜的气敏性能的研究现状进行了探讨,并展望了其今后的应用与研 究方向。 关键词:电子技术;紫外光;综述;纳米金属氧化物薄膜;气敏性能 中图分类号:TN304.92 文献标识码:A 文章编号:1001.2028(2008)1l-0008..04 … n ●·● ·■ ^ ●1 ·’ ● m’ Ot sensitive oi-nantoOXitlethlntllms 叁itudyProgressgas properties underultravioletradiation light ZHANG Hual Hon91,LINZhi.don91一,AI ofPlasma (1.ProvinceKeyLaberatoryChemistryAdvancedMaterials,WuhanUniversityofTechnology,Wuhan430073,China; 2.State ofGansuAdvancedNonferrousMetal Univ Materials,I_anzhouofTech,Lanzhou KeyLaberatory 730050.,China) Abstract:Themethodand ofelectrodeformetaloxidethinfilmswereintroduced.Andthe preparing process light tO metal was radiationmechanismofultravioletthe oxidesemiconductorillustrated.Basedonactualuseandmarket light need, oxidethin after were the sensitive ofmetal films radiation werethefuture gas properties light explored.Prospectedapplication researchdirection. and words:electron metaloxidethin sensitive technolog

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