纳米氧化物薄膜紫外光照下气敏性能研究进展 study progress of gas sensitive properties of nano oxide thin films under ultraviolet light radiation.pdfVIP
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纳米氧化物薄膜紫外光照下气敏性能研究进展 study progress of gas sensitive properties of nano oxide thin films under ultraviolet light radiation
第27卷第11期 电 子 元 件 与 材 料 、,0I.27N0.Il
2008年11月 ELECTRONIC00MPONENTSANDMATERIALS NOV.2008
纳米氧化物薄膜紫外光照下气敏性能研究进展
张宏1,林志东1一,艾华1
(1.武汉工程大学等离子体化学与新材料省重点实验室,湖北武汉430073;2.兰州理工大学甘肃省有色金属新
材料省部共建国家重点实验室,甘肃兰州 730050)
摘要:介绍了金属氧化物薄膜电极的制备方法与过程,阐述了紫外光作用于金属氧化物半导体的光照机理。基于
实际应用和市场需求,就有关光照后金属氧化物薄膜的气敏性能的研究现状进行了探讨,并展望了其今后的应用与研
究方向。
关键词:电子技术;紫外光;综述;纳米金属氧化物薄膜;气敏性能
中图分类号:TN304.92 文献标识码:A 文章编号:1001.2028(2008)1l-0008..04
… n ●·● ·■ ^ ●1 ·’ ● m’
Ot sensitive oi-nantoOXitlethlntllms
叁itudyProgressgas properties
underultravioletradiation
light
ZHANG Hual
Hon91,LINZhi.don91一,AI
ofPlasma
(1.ProvinceKeyLaberatoryChemistryAdvancedMaterials,WuhanUniversityofTechnology,Wuhan430073,China;
2.State ofGansuAdvancedNonferrousMetal Univ
Materials,I_anzhouofTech,Lanzhou
KeyLaberatory 730050.,China)
Abstract:Themethodand ofelectrodeformetaloxidethinfilmswereintroduced.Andthe
preparing process light
tO metal was
radiationmechanismofultravioletthe oxidesemiconductorillustrated.Basedonactualuseandmarket
light need,
oxidethin after were
the sensitive ofmetal films radiation werethefuture
gas properties light explored.Prospectedapplication
researchdirection.
and
words:electron metaloxidethin sensitive
technolog
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