纳米异质外延层与衬底的晶体取向匹配的电子背散射衍射分析 electron backscatter diffraction analysis on crystal orientation match of nano-scaled heteroepitaxial layers with the substrates.pdfVIP

第29卷第4期 电 子显微学报 V01．29．No．4 2010年8月 ofChineseElectron 2010旬8 Journal MicroscopySociety 文章编号：1000-6281(2010)04．0322旬6 纳米异质外延层与衬底的晶体取向匹配的 电子背散射衍射分析 吉 元1，王 丽1，张隐奇1，卫斌1，索红莉2，王建宏2，程艳玲2 (北京工业大学1．固体微结构-9性能研究所，2．材料学院，北京100124) 摘 要：本文采用电子背散射衍射(EBSD)，测量纳米异质外延层的织构，及外延层与衬底的晶体取向匹配。测试 及LED器件中生长在蓝宝石衬底上的GaN过渡层和外延层。EBSD测量出LZO外延层具有旋转立方织构，显示出 宝石衬底的面内取向(转动30。)的匹配关系，显示出由GaN过渡层的晶格畸变而引入的平行于外延生长方向的弹 性应变梯度(约500nm)。 关键词：电子背散射衍射(EBSD)；晶体取向错配；外延层；La2Zr20，；GaN 中图分类号：TGll5．21+5．3；TGll5．23；0766+．1；TB383文献标识码：A 电子背散射衍射技术(EBSD)已广泛应用于晶膜形成单一取向双轴强织构。(3)LZO为难熔材 粒取向测量、晶体结构和相鉴定及微区应力／应变 料，15000C以下难以发生再结晶转变，可与Ni．w衬 分析¨“。。在晶体学测量方法中，透射电镜(TEM)底和YBCO膜形成稳定界面，避免界面氧化反应。 空间分辨率高，但受到薄膜制备困难和缺少统计信LZO的织构、取向、结晶形态及完整性，特别是LZO 息的限制，也难以获得外延晶体与衬底晶体的匹配 外延层与Ni．w衬底和YBCO超导膜之间的晶体匹 关系信息。x一射线衍射(XRD)技术可精确测定晶 配关系，是人们十分关注的问题，对改善和优化外 体结构和织构，但难以得到与显微形貌相关的微区 延层的制备工艺，提高LZO及超导膜的性能具有重 晶体学信息。扫描电镜(SEM)中的电子通道花样要意义。由于LZOBuffer层厚度为20～200am，目 (ECP)技术受到空间分辨率限制，难以获得am～前多采用XRD的p．2日扫描法和Phi．扫描法，测试 斗m尺度的晶体结构和取向信息。与上述技术相LZO外延层的晶体取向及与衬底的取向差，并配合 比，EBSD的空间和角度分辨率可分别达到20一30EBSD技术，获得LZO外延层的晶粒取向分布图、表 am tim和0．20，背散射衍射电子的作用体积可达5面外延层织构、晶粒和晶界类型及分布等信息‘卜9|。 ×15amX15aiD_。此外，由于EBSD衍射花样质量发光二极管(LED)和激光器采用的III族氮化 与材料表面形变、应变及缺陷十分敏感，其应变敏 物外延层，具有高的亮度、光电转换效率、灵敏度及 感性可达±2×10“p’6。。因此，EBSD适于在晶粒化学稳定性等特点，但需要采用外延方法生长GaN 和亚晶尺度(微米一亚微米)研究晶粒取向(差)、晶外延层。由于尚没有与GaN匹配的单晶衬底，采用 粒尺寸、晶界特征及应变晶体的弹／塑性应变状态。 晶格失配大的蓝宝石衬底引入的内应力，导致失配 此外，EBSD可以由逐点衍射获得统计数据，也可以位错密度增加，使外延层偏离衬底晶向。GaN外延 由单幅菊池花样获得微区的取向错配数据。 晶体中的晶向失配及应变、晶体缺陷及分布，对减 少器件特性偏离，降低缺陷浓度、提高晶体质量和 锆酸镧(La：ZhO，，LZO)做为钇钡铜氧(YBCO) 超导薄膜的过渡层(Buffer层)，其优异的特点有：器件可靠性是很重要的。由于GaN的Buffer层厚 (1)与YBCO晶格失配度￡很小(eYBCO一8LzO=度约20—30 1．05％)，可很好地满足与YBCO的晶格匹配