前栅工艺下高k金属栅cmos器件eot控制技术研究 the technology of eot control in gate-first hkmg cmos device.pdfVIP

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2017-08-22 发布于上海
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前栅工艺下高k金属栅cmos器件eot控制技术研究 the technology of eot control in gate-first hkmg cmos device.pdf

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前栅工艺下高k金属栅cmos器件eot控制技术研究 the technology of eot control in gate-first hkmg cmos device

鼬lIi呻ent ．．1c制造工艺与设备．。乙利厘上乙司议冒‘ 翰艨for工Electr业omc毫Produ用ctsM设anuf备aeturi瑚 OS 前栅工艺下高k／金属栅CM 器件EOT控制技术研究陈世杰，蔡雪梅 (重庆邮电大学光电工程学院，重庆400021) 摘要：随着CMOS器件特征尺寸的不断缩小，绝缘栅介质层也按照等比例缩小的原则变得越来越薄，由此而产生的栅漏电流增大和可靠性降低等问题变得越来越严重。传统的SiO：栅介质材料已不能满足CMOS器件进一步缩小的需要，而利用高介电常数栅介质(高后)取代SiO：已成为必然趋势。而在前栅工艺下，SiO：界面层生长问题严重制约了EOT的缩小以及器件性能的提升。介绍了一种前栅工艺下的高后／金属栅结构CMOS器件EoT控制技术，并成功验证了Al元素对SiO，界面层的氧吸除作用。关键词：高后栅介质；EOT；前栅工艺；氧吸除中图分类号：TN405 文献标识码：A The ofEOTControlinGate-first Technology Hl“MGCMoSDevice CHEN Xuemei Shijie，CAI of andtetecommunieationsof 40002 university engineering，Chongqing1，China) (Chongqing posts collegeelectroning thinner Abstract：WithCMOSdevicecharacteristicdimension dielectricbecomes scaling，thegate andthinner tothe of currentincreases leakage sig- accordingprinciplescaling．Consequently，thegate callnot the andthedevicebecomeslessreliable．Sothetraditionaldielectric nificantly Si02 satisfy node．Thekdielectricwill asthe dielectric． next Si02 generationprocess hi【gh definitelyreplace gate the the iussthatthe